[发明专利]提高套准精度的方法在审
| 申请号： | 201510675943.9 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105242504A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 冯耀斌 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 朱俊跃 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提高套准精度的方法，利用电子束扫描获取芯片内部套准结构的实际图形，并对该实际图形进行分析，得到实际图形的套准偏移量，并将此数据建模，以产生新的曝光补偿程式，之后光刻机利用该新的曝光补偿程式对该芯片进行光刻工艺，从而提高了半导体产品的套准精度，同时提升了半导体产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 精度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高套准精度的方法，其特征在于，应用于光刻工艺中，所述方法包括如下步骤：提供一设置有套准结构的半导体衬底；利用电子束扫描获取所述套准结构的图形；对所述套准结构的图形进行分析，以获取所述套准结构的套准偏移量；根据所述套准偏移量获取曝光补偿程式，并利用所述曝光补偿程式对所述半导体衬底进行所述光刻工艺。
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