[发明专利]提高套准精度的方法

权利要求书

1.一种提高套准精度的方法，其特征在于，应用于光刻工艺中，所述方法包括如下步骤：

提供一设置有套准结构的半导体衬底；

利用电子束扫描获取所述套准结构的图形；

对所述套准结构的图形进行分析，以获取所述套准结构的套准偏移量；

根据所述套准偏移量获取曝光补偿程式，并利用所述曝光补偿程式对所述半导体衬底进行所述光刻工艺。

2.如权利要求1所述的提高套准精度的方法，其特征在于，所述套准结构包括当层器件结构及相对于所述当层结构的前层器件结构，所述方法中：

以所述前层器件结构的图形为背景，通过量测所述当层器件结构的图形相对两侧边沿与所述套准结构的中间线之间距离，并通过计算以获取所述套准偏移量。

3.如权利要求2所述的提高套准精度的方法，其特征在于，通过对所述套准结构的图形进行图形处理，以获取所述套准结构的图像数据；

根据所述套准结构的图像数据计算获取所述套准偏移量。

4.如权利要求3所述的提高套准精度的方法，其特征在于，所述方法中：

利用套准精度公式算出所述套准偏移量；

其中，所述套准精度公式为：d＝(d₁-d₂)/2，所述d为所述套准偏移量，所述d₁为所述当层器件结构的图形的一侧边沿与所述中间线之间的距离，所述d₂为所述当层器件结构的图形的另一侧边沿与所述中间线之间的距离。

5.如权利要求3所述的提高套准精度的方法，其特征在于，所述方法中：

利用图形分析模块对所述套准结构的图形进行图形处理，以获取所述套准结构的图像数据；

根据所述套准结构的图像数据计算获取所述套准偏移量。

6.如权利要求2所述的提高套准精度的方法，其特征在于，所述当层器件结构为接触孔，所述前层器件结构为沟槽。

7.如权利要求2所述的提高套准精度的方法，其特征在于，根据所述套准偏移量，并利用套准精度模型公式以获取所述曝光补偿程式；

其中，所述套准精度模型公式为：

dx＝k1+k3*x+k5*y+k7*x2+k9*xy+k11*y2+k13*x3+k15*x2y+k17*xy2+k19*y3

dy＝k2+k4*y+k6*x+k8*y2+k10*xy+k12*x2+k14*y3+k16*y2x+k18*yx2+k20*x3

其中dx、dy为通过量测所得到的套准偏移量。k1～k6为线性补偿参数，k7～k20为高阶补偿参数，x、y为套准精度量测的坐标位置。

8.如权利要求1所述的提高套准精度的方法，其特征在于，所述曝光补偿程式包括线性补偿和高阶补偿。