[发明专利]一种侦测锗硅残留的方法在审
| 申请号： | 201510663115.3 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105280514A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;周海锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种侦测锗硅残留的方法，通过在开启刻蚀气体的沉积条件下对硅片进行锗硅沉积形成第一锗硅堆叠后，继续在关闭刻蚀气体的条件下对该硅片再次进行锗硅沉积形成第二锗硅堆叠，并根据第一锗硅堆叠和第二锗硅堆叠的厚度推算出刻蚀气体的刻蚀速率，之后对刻蚀气体的刻蚀速率进行长期的监控，并定出合理的波动范围，即可长期监控以防止沉积锗硅残留的存在；该方法能有效的侦测锗硅沉积工艺在硬掩膜上的残留，从而保证产品的安全。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侦测 残留 方法 | ||
【主权项】：
一种侦测锗硅残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，提供一硅片，所述硅片的表面设置有硬掩膜和锗硅生长区；步骤S2，在开启刻蚀气体的沉积条件下于所述锗硅生长区形成第一锗硅堆叠；步骤S3，在关闭所述刻蚀气体的沉积条件下于所述锗硅生长区形成第二锗硅堆叠；步骤S4，根据所述第一锗硅堆叠和所述第二锗硅堆叠的厚度获取所述刻蚀气体的刻蚀速率；步骤S5，通过监控所述刻蚀气体的刻蚀速率侦测所述硬掩膜上的锗硅残留。
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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