[发明专利]一种侦测锗硅残留的方法

权利要求书

1.一种侦测锗硅残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，提供一硅片，所述硅片的表面设置有硬掩膜和锗硅生长区；

步骤S2，在开启刻蚀气体的沉积条件下于所述锗硅生长区形成第一锗硅堆叠；

步骤S3，在关闭所述刻蚀气体的沉积条件下于所述锗硅生长区形成第二锗硅堆叠；

步骤S4，根据所述第一锗硅堆叠和所述第二锗硅堆叠的厚度获取所述刻蚀气体的刻蚀速率；

步骤S5，通过监控所述刻蚀气体的刻蚀速率侦测所述硬掩膜上的锗硅残留。

2.如权利要求1所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

S21，将所述硅片传输至沉积腔体中；

S22，在开启所述刻蚀气体的沉积条件下于所述锗硅生长区沉积形成所述第一锗硅堆叠；

S23，将所述硅片移出所述沉积腔体，并对所述第一锗硅堆叠进行量测以获取所述第一锗硅堆叠的厚度。

3.如权利要求2所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：

S31，将所述硅片再次传输至所述沉积腔体中；

S22，在关闭所述刻蚀气体的沉积条件下于所述锗硅生长区沉积形成所述第二锗硅堆叠；

S23，将所述硅片移出所述沉积腔体，并对所述第二锗硅堆叠堆叠进行量测以获取所述第二锗硅堆叠的厚度。

4.如权利要求1所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述步骤S2中沉积形成所述第一锗硅堆叠和所述步骤S3中沉积形成所述第二锗硅堆叠的沉积时间相同。

5.如权利要求1所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述硅片为光片或图形片。

6.如权利要求1所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述第一锗硅堆叠和所述第二锗硅堆叠均包括按照从下至上的顺序依次设置的子晶层、锗硅层和硅帽层。

7.如权利要求1所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述硬掩膜的材质为氮化硅。