[发明专利]基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试方法在审
| 申请号： | 201510658776.7 | 申请日： | 2015-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN105203908A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 赵振宇;蒋剑锋;马驰远;马卓;余金山;何小威;乐大珩;冯超超;王耀;吴铁彬;窦强 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪;谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试方法，步骤包括：确定每一种TSV开路故障的March元素；生成包含每一种TSV开路故障对应March元素的测试向量；通过BIST电路基于测试向量对3D SRAM的所有存储单元进行遍历式读写操作，当执行到某一种TSV开路故障对应的March元素时，如果某个测试地址X的读取结果与March元素中的期望测试数据不同，则判定与测试地址X相连的TSV有故障，进行错误标识并记录当前执行March元素对应的故障类型及TSV故障地址；完成所有存储单元的遍历式读写操作后，输出所有TSV故障信息。本发明能够在不使用TSV专用测试电路且不增加额外面积开销的情况下达到探测TSV开路故障的目的，具有电路设计复杂度低、测试效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 bist sram tsv 开路 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试方法，其特征在于步骤包括：1)确定3D SRAM中每一种TSV开路故障的March元素，所述March元素包括用于对存储单元进行遍历的升降序遍历方式及读写操作；2)生成包含每一种TSV开路故障对应March元素的测试向量；3)通过BIST电路基于所述测试向量从起始地址开始对3D SRAM的所有存储单元进行遍历式读写操作，当执行到某一种TSV开路故障对应的March元素时，如果某个测试地址X的读取结果与March元素中的期望测试数据不相同，则判定与测试地址X相连的TSV有故障，针对发生故障的TSV进行错误标识并记录当前执行March元素对应的故障类型及TSV故障地址；当完成所有存储单元的遍历式读写操作后，跳转执行下一步；4)输出所有发生故障的TSV的故障信息。
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