[发明专利]基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试方法

权利要求书

1.一种基于BIST的3DSRAM中TSV开路测试方法，其特征在于步骤包括：

1)确定3DSRAM中每一种TSV开路故障的March元素，所述March元素包括用于对存储单元进行遍历的升降序遍历方式及读写操作；

2)生成包含每一种TSV开路故障对应March元素的测试向量；

3)通过BIST电路基于所述测试向量从起始地址开始对3DSRAM的所有存储单元进行遍历式读写操作，当执行到某一种TSV开路故障对应的March元素时，如果某个测试地址X的读取结果与March元素中的期望测试数据不相同，则判定与测试地址X相连的TSV有故障，针对发生故障的TSV进行错误标识并记录当前执行March元素对应的故障类型及TSV故障地址；当完成所有存储单元的遍历式读写操作后，跳转执行下一步；

4)输出所有发生故障的TSV的故障信息。

2.根据权利要求1所述的基于BIST的3DSRAM中TSV开路测试方法，其特征在于：所述步骤1)中确定的March元素中，开路故障SOF的March元素为或多路存取ADF的March元素为或写干扰耦合故障CFdsxw！x的March元素为或读干扰耦合故障CFdsrx的March元素为或错误读故障IRF的March元素为或写破坏耦合故障CFwd的March元素为或上述March元素中，r0表示读0操作，w0表示写0操作，r1表示读1操作，w1表示写1操作，表示存储单元的遍历按地址升序方式测试，表示存储单元的遍历按地址降序方式测试，表示存储单元的遍历按地址按照升序方式或降序方式测试。

3.根据权利要求2所述的基于BIST的3DSRAM中TSV开路测试方法，其特征在于：所述步骤2)中生成的测试向量如式(1)所示；

式(1)中，第1个March元素用于检测写破坏耦合故障CFwd，第2个March元素用于检测开路故障SOF和写破坏耦合故障CFwd，第3个March元素用于检测读干扰耦合故障CFdsrx，第3个March元素的第一个元素r1和第二个元素w0用于检测写干扰耦合故障CFdsxw！x，第4个March元素用于检测多路存取ADF和写干扰耦合故障CFdsxw！x，第4个March元素的第二个元素w1用于检测错误读故障IRF，第5个March元素用于检测错误读故障IRF；上述March元素中，r0表示读0操作，w0表示写0操作，r1表示读1操作，w1表示写1操作，表示存储单元的遍历按地址升序方式测试，表示存储单元的遍历按地址降序方式测试，表示存储单元的遍历按地址按照升序方式或降序方式测试。

4.根据权利要求1或2或3所述的基于BIST的3DSRAM中TSV开路测试方法，其特征在于：所述步骤3)中判定与测试地址X相连的TSV有故障后，还包括对发生故障的TSV进行冗余修复的步骤，详细步骤包括：对发生故障的TSV分配冗余地址，将发生故障的TSV的错误地址重新映射为分配的新的冗余地址，完成错误地址的冗余修复功能。

5.根据权利要求4所述的基于BIST的3DSRAM中TSV开路测试方法，其特征在于：所述步骤4)中输出所有发生故障的TSV的故障信息时，所述故障信息包括错误标记、发生故障的TSV的故障类型、发生故障的TSV的错误地址、对发生故障的TSV进行冗余修复时分配的新的冗余地址。