[发明专利]沟槽型MOSFET的ESD结构及工艺方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型MOSFET集成ESD的结构，在沟槽型MOSFET的周围具有沟槽型保护环，所述的ESD结构集成在保护环沟槽中，所述保护环沟槽穿过体区底部位于外延层中，沟槽内填充多晶硅；所述多晶硅分段进行N-P或者P-N,或者N-P-……-N-P或者P-N-……-P-N的间隔掺杂，以形成一个或多个等效串接的二极管，串接的二极管首尾两端电极分别连接沟槽型MOSFET的栅极及源极。本发明在保护环沟槽内形成N、P交替间隔排列的多晶硅，等效成ESD二极管，并通过金属引线将该PN结形成的等效ESD二极管两极分别与MOSFET的源极、栅极连接，形成MOSFET的ESD保护结构。本发明所述的沟槽型MOSFET的ESD结构的工艺方法，使用保护环的方式，减少了ESD多晶硅淀积及刻蚀步骤，简化了工艺步骤，降低成本。

主权项

一种沟槽型MOSFET的ESD结构，在沟槽型MOSFET的周围具有沟槽型保护环，其特征在于：所述的ESD结构集成在沟槽型保护环的沟槽中，所述保护环的沟槽穿过体区底部位于外延层中，沟槽内填充多晶硅；所述多晶硅分段进行N‑P或者P‑N,或者N‑P‑……‑N‑P或者P‑N‑……‑P‑N的间隔掺杂，以形成一个或多个等效串接的二极管，串接的二极管首尾两端电极分别连接沟槽型MOSFET的栅极及源极。