[发明专利]沟槽型MOSFET的ESD结构及工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是指一种沟槽型MOSFET的ESD结构，本发明还涉及所述沟槽型MOSFET的ESD结构的工艺方法。

背景技术

ESD(Electro-StaticDischarge)的意思是“静电放电”。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。静电是一种客观存在的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦、电器间感应等。静电的特点是长时间积聚、高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。

人体自身的动作或与其他物体的接触、分离、摩擦或感应等因素，可以产生几千伏甚至上万伏的静电。

静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害，常常造成电子电器产品运行不稳定，甚至损坏。ESD对电子产品造成的破坏和损伤有突发性损伤和潜在性损伤两种。所谓突发性损伤，指的是器件被严重损坏，功能丧失。这种损伤通常能够在生产过程中的质量检测中能够发现，因此给工厂带来的主要是返工维修的成本。而潜在性损伤指的是器件部分被损，功能尚未丧失，且在生产过程的检测中不能发现，但在使用当中会使产品变得不稳定，时好时坏，因而对产品质量构成更大的危害。

针对集成ESD保护的沟槽型MOSFET，其源端引出PAD与栅极引出PAD版图如图1所示，通常ESD保护采用一圈一圈的N、P间隔排列形成如图3环形的PN结，形成二极管，原理图如图2所示，在沟槽型MOSFET的栅极与源极之间串接ESD二极管，ESD多晶硅位于如图1所示的栅极PAD的下方(图1右边为局部放大图)，一般根据器件耐压的需求换算成PN结的个数，然后制成如图3所示的ESD保护结构，目前的主流设计使用沟槽来做管芯周边的保护环，以替代体注入形成的PN结保护环，保护环的沟槽需环绕管芯区一周(图中仅使用局部区域进行描述，其他区域图示沟槽无异)。ESD多晶硅通常位于栅极PAD的下方，制约了栅极PAD的面积。

该ESD保护结构的工艺方法为：先完成MOSFET的沟槽以及栅极等工艺，如图4所示；然后再淀积一层厚约的氧化层，淀积ESD多晶硅，经过刻蚀及离子注入形成ESD保护结构，如图5所示，图中7、8即分别为ESD二极管的两个引出电极，最后通过金属互联，一端连接栅极，一端连接源极，从而形成ESD保护电路。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种沟槽型MOSFET的ESD结构，利用保护环沟槽形成沿沟槽方向的N、P交替的串接的PN结。

本发明还要解决的技术问题在于提供所述沟槽型MOSFET的ESD结构的工艺方法。

为解决上述问题，本发明所述的沟槽型MOSFET的ESD结构，包含：在沟槽型MOSFET的周围具有保护环沟槽，所述的ESD结构集成在保护环的沟槽中，所述保护环沟槽穿过体区底部位于外延层中，沟槽内填充多晶硅；

所述多晶硅分段进行N-P或者P-N,或者N-P-……-N-P或者P-N-……-P-N的间隔掺杂，以形成一个或多个等效串接的二极管，串接的二极管首尾两端电极分别连接沟槽型MOSFET的栅极及源极。

进一步地，根据沟槽型MOSFET的ESD耐压需求，换算成等效的PN结的个数，决定对保护环的沟槽内多晶硅进行N、P间隔注入的分段数，即形成的等效的二极管的个数。

本发明所述的沟槽型MOSFET的ESD结构的工艺方法，包含如下的步骤：

第1步，使用硬掩膜在外延上定义出保护环图形，刻蚀形成保护环的沟槽；

第2步，移除硬掩膜，在整个外延表面形成一层氧化层作为栅氧化层；

第3步，保护环的沟槽内淀积多晶硅并回刻至外延表面；

第4步，整个外延表面生长一层氧化层，然后进行体区注入；

第5步，使用源区注入的掩膜板，或者保护环掩膜板进行保护环沟槽的杂质注入，并按照版图将部分沟槽注入反型，形成N、P交替排列的串接的PN结；

第6步，层间介质淀积，刻蚀形成接触孔，将沟槽中多晶硅引出；

第7步，形成阻挡层金属，进行钨淀积，制作金属引线，将沟槽内多晶硅引出形成ESD电路，并将该ESD电路的两端分别与MOSFET的栅极及源极连接。

所述第1步中，刻蚀的保护环的沟槽深度为1～2μm。

所述第2步中，淀积的氧化层的厚度为