[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制备方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括步骤：在栅极绝缘层上涂布第一光阻，通过一光罩对所述第一光阻进行曝光，并显影，以去除一部分所述第一光阻，露出部分所述栅极绝缘层；对所露出的所述栅极绝缘层所对应的半导体层进行掺杂，形成薄膜晶体管的沟道区；在所述栅极绝缘层上涂布第二光阻，采用所述光罩对所述第二光阻进行曝光，并显影，只保留所述沟道区所对应的所述第二光阻，所述第二光阻和所述第一光阻的正负性相反；对所述半导体层进行重掺杂，形成欧姆接触区。所述薄膜晶体管阵列基板的制备方法可以减少低温多晶硅薄膜晶体管制程中使用的光罩数目，降低成本的同时减少制程的误差。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上沉积半导体层；在所述半导体层上生成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上涂布第一光阻，通过一光罩对所述第一光阻进行曝光，并显影，以去除一部分所述第一光阻，露出部分所述栅极绝缘层；对所露出的所述栅极绝缘层所对应的半导体层进行掺杂，形成薄膜晶体管的沟道区，再去掉其余的所述第一光阻；在所述栅极绝缘层上涂布第二光阻，采用所述光罩对所述第二光阻进行曝光，并显影，只保留所述沟道区所对应的所述第二光阻，所述第二光阻的正负性和所述第一光阻的正负性相反；对所述半导体层进行重掺杂，形成欧姆接触区，所述欧姆接触区包括第一接触区和第二接触区，所述沟道区位于所述第一接触区和所述第二接触区之间；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述欧姆接触区上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触区和所述第二接触区。