[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基板；

在所述基板上沉积半导体层；

在所述半导体层上生成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上涂布第一光阻，通过一光罩对所述第一光阻进行曝光，并显影，以去除一部分所述第一光阻，露出部分所述栅极绝缘层；

对所露出的所述栅极绝缘层所对应的半导体层进行掺杂，形成薄膜晶体管的沟道区，再去掉其余的所述第一光阻；

在所述栅极绝缘层上涂布第二光阻，采用所述光罩对所述第二光阻进行曝光，并显影，只保留所述沟道区所对应的所述第二光阻，所述第二光阻的正负性和所述第一光阻的正负性相反；

对所述半导体层进行重掺杂，形成欧姆接触区，所述欧姆接触区包括第一接触区和第二接触区，所述沟道区位于所述第一接触区和所述第二接触区之间；

在所述栅极绝缘层上形成栅极；

在所述欧姆接触区上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触区和所述第二接触区。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一光阻为负性光阻，所述第二光阻为正性光阻，所述光罩对应于所述沟道区以外的部位为透光区，曝光时紫外光透过所述透光区。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一光阻为正性光阻，所述第二光阻为负性光阻，所述光罩对应于所述沟道区的部位为透光区，曝光时紫外光透过所述透光区。

4.如权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述半导体层为多晶硅层、锗层或砷化镓层。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤“提供一基板”和所述步骤“在所述基板上沉积半导体层”之间还包括以下步骤：

在所述基板上沉积一缓冲层。

6.如权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的材质为硅的氮化物、硅的氧化物或者硅的氮氧化物。

7.如权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤“在所述栅极绝缘层上形成栅极”包括以下步骤：

采用物理气相沉积法在所述栅极绝缘层上沉积一金属层；

采用覆膜、曝光、显影及蚀刻的制程处理所述金属层，形成所述栅极。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述栅极的材质为铝、钨、硅化钨、钕、铬、钼、银和铜之中的至少一种。

9.如权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤“在所述欧姆接触区上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触区和所述第二接触区”包括以下步骤：

对所述栅极绝缘层进行图形化处理，使需要形成所述源极和所述漏极的区域镂空而露出所述欧姆接触区；

在所述栅极绝缘层和所露出的所述欧姆接触区上沉积一源漏极金属层；

形成所述源极和所述漏极。

10.如权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤“在所述欧姆接触区上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触区和所述第二接触区”之后还包括以下步骤：

在形成所述源极和所述漏极的基板上形成一连续的钝化层；

在所述钝化层上形成过孔；

在形成所述过孔的所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述源极连接。