[发明专利]一种LTPS阵列基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号： | 201510639246.8 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105336683A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 王尧 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LTPS阵列基板及其制作方法、显示装置，该方法包括：提供一基板；在基板上依次形成遮光层、缓冲层以及半导体层；其中，半导体层包括间隔设置的第一多晶硅层和第二多晶硅层；对第一多晶硅层进行N+掺杂，对第二多晶硅层进行P+掺杂；在半导体层上依次形成第一绝缘层以及栅极图形层；对第一多晶硅层进行N-掺杂；在栅极图形层上依次形成第二绝缘层以及源漏层。通过上述方式，本发明能够在离子掺杂过程中对N-掺杂区域进行保护，提高元器件的性能，延长元器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ltps 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种LTPS阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板上依次形成遮光层、缓冲层以及半导体层；其中，所述半导体层包括间隔设置的第一多晶硅层和第二多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行N+掺杂，对所述第二多晶硅层进行P+掺杂；在所述半导体层上依次形成第一绝缘层以及栅极图形层；对所述第一多晶硅层进行N‑掺杂；在所述栅极图形层上依次形成第二绝缘层以及源漏层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
