[发明专利]一种LTPS阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种LTPS阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

低温多晶硅技术LTPS(LowTemperaturePoly-silicon)目前正迅速的发展，它的最大优势在于超薄、重量轻、低耗电，可以提供更艳丽的色彩和更清晰的影像。

在LTPS阵列基板的制作过程中，在对多晶硅进行离子注入的制程中，往往是先对NMOS进行N+掺杂、N-掺杂，然后再对PMOS进行P+掺杂，如这样，P+掺杂时很有可能将P+离子注入到N-区域，影响到N-区域的性能，而N-区域对元器件的寿命与性能影响较大。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种LTPS阵列基板及其制作方法、显示装置，能够在离子掺杂过程中对N-掺杂区域进行保护，提高元器件的性能，延长元器件的使用寿命。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种LTPS阵列基板的制造方法，该方法包括：提供一基板；在基板上依次形成遮光层、缓冲层以及半导体层；其中，半导体层包括间隔设置的第一多晶硅层和第二多晶硅层；对第一多晶硅层进行N+掺杂，对第二多晶硅层进行P+掺杂；在半导体层上依次形成第一绝缘层以及栅极图形层；对第一多晶硅层进行N-掺杂；在栅极图形层上依次形成第二绝缘层以及源漏层。

其中，在基板上依次形成遮光层、缓冲层以及半导体层的步骤，具体包括：在基板上形成间隔设置的第一遮光层和第二遮光层；在第一遮光层和第二遮光层上沉积SiNx层；在SiNx层上沉积SiOx层；在SiOx层上形成半导体层。

其中，在SiOx层上形成半导体层的步骤，具体包括：在SiOx层上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行镭射退火工艺，以形成间隔设置的第一多晶硅层和第二多晶硅层；其中，第一多晶硅层和第二多晶硅层分别对应第一遮光层和第二遮光层。

其中，对第一多晶硅层进行N+掺杂，对第二多晶硅层进行P+掺杂的步骤，具体包括：在第一多晶硅层、第二多晶硅层以及缓冲层上覆盖第一光阻；其中，第一光阻的透光区在垂直方向上对应第一多晶硅层的两个N+掺杂区；第一多晶硅层包括分别设置于两侧的两个N+掺杂区、两个两个N+掺杂区内侧的两个N-掺杂区以及两个N-掺杂区之间的非掺杂区；对第一多晶硅层的N+掺杂区进行N+掺杂；在第一多晶硅层、第二多晶硅层以及缓冲层上覆盖第二光阻；其中，第二光阻的透光区在垂直方向上对应第二多晶硅层的两个P+掺杂区；第二多晶硅层包括分别设置于两侧的两个P+掺杂区以及两个P+掺杂区之间的非掺杂区；对第二多晶硅层的P+掺杂区进行P+掺杂。

其中，在半导体层上依次形成第一绝缘层以及栅极图形层的步骤，具体包括：在半导体层上形成第一绝缘层；其中，第一绝缘层包括SiOx和SiNx；在第一绝缘层上沉积栅极层，并对栅极层进行蚀刻工艺以形成第一栅极和第二栅极；其中，第一栅极和第二栅极分别对应第一多晶硅层和第二多晶硅层的非掺杂区。

其中，对第一多晶硅层进行N-掺杂的步骤，具体包括：在第一绝缘层上覆盖第三光阻；其中，第三光阻的透光区在垂直方向上对应第一多晶硅层的两个N-掺杂区；对第一多晶硅层的N-掺杂区进行N-掺杂。

其中，在栅极图形层上依次形成第二绝缘层以及源漏层的步骤，具体包括：在栅极图形层上形成第二绝缘层；形成贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的第一通孔、第二通孔、第三通孔以及第四通孔；在第二绝缘层上形成第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极；其中，第一源极和第一漏极分别通过第一通孔和第二通孔连接第一多晶硅层的两个N+掺杂连接，第二源极和第二漏极分别通过第三通孔和第四通孔连接第二多晶硅层的两个P+掺杂连接。

其中，对第一多晶硅层进行N+掺杂，对第二多晶硅层进行P+掺杂的步骤之前，还包括：对第一多晶硅层和第二多晶硅层进行P掺杂，以调整第一多晶硅层和第二多晶硅层的电学特性。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种LTPS阵列基板，该阵列基板包括：基板以及依次形成于基板上的遮光层、缓冲层、半导体层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源漏层；其中，半导体层包括间隔设置的第一多晶硅层和第二多晶硅层；其中，在对第一多晶硅层和第二多晶硅层进行离子掺杂时，先对第一多晶硅层进行N+掺杂以及对第二多晶硅层进行P+掺杂，后对第一多晶硅层进行N-掺杂。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，该显示装置包括如上述的LTPS阵列基板。