[发明专利]一种LTPS阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种LTPS阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上依次形成遮光层、缓冲层以及半导体层；其中，所述半导体层包括间隔设置的第一多晶硅层和第二多晶硅层；

对所述第一多晶硅层进行N+掺杂，对所述第二多晶硅层进行P+掺杂；

在所述半导体层上依次形成第一绝缘层以及栅极图形层；

对所述第一多晶硅层进行N-掺杂；

在所述栅极图形层上依次形成第二绝缘层以及源漏层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板上依次形成遮光层、缓冲层以及半导体层的步骤，具体包括：

在所述基板上形成间隔设置的第一遮光层和第二遮光层；

在所述第一遮光层和所述第二遮光层上沉积SiNx层；

在所述SiNx层上沉积SiOx层；

在所述SiOx层上形成半导体层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述SiOx层上形成半导体层的步骤，具体包括：

在所述SiOx层上沉积非晶硅层，并对所述非晶硅层进行镭射退火工艺，以形成间隔设置的第一多晶硅层和第二多晶硅层；

其中，所述第一多晶硅层和第二多晶硅层分别对应所述第一遮光层和第二遮光层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一多晶硅层进行N+掺杂，对所述第二多晶硅层进行P+掺杂的步骤，具体包括：

在所述第一多晶硅层、所述第二多晶硅层以及所述缓冲层上覆盖第一光阻；其中，所述第一光阻的透光区在垂直方向上对应所述第一多晶硅层的两个N+掺杂区；所述第一多晶硅层包括分别设置于两侧的两个N+掺杂区、所述两个两个N+掺杂区内侧的两个N-掺杂区以及所述两个N-掺杂区之间的非掺杂区；

对所述第一多晶硅层的N+掺杂区进行N+掺杂；

在所述第一多晶硅层、所述第二多晶硅层以及所述缓冲层上覆盖第二光阻；其中，所述第二光阻的透光区在垂直方向上对应所述第二多晶硅层的两个P+掺杂区；所述第二多晶硅层包括分别设置于两侧的两个P+掺杂区以及所述两个P+掺杂区之间的非掺杂区；

对所述第二多晶硅层的P+掺杂区进行P+掺杂。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述半导体层上依次形成第一绝缘层以及栅极图形层的步骤，具体包括：

在所述半导体层上形成第一绝缘层；其中，所述第一绝缘层包括SiOx和SiNx；

在所述第一绝缘层上沉积栅极层，并对所述栅极层进行蚀刻工艺以形成第一栅极和第二栅极；其中，所述第一栅极和第二栅极分别对应所述第一多晶硅层和第二多晶硅层的非掺杂区。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述第一多晶硅层进行N-掺杂的步骤，具体包括：

在所述第一绝缘层上覆盖第三光阻；其中，所述第三光阻的透光区在垂直方向上对应所述第一多晶硅层的两个N-掺杂区；

对所述第一多晶硅层的N-掺杂区进行N-掺杂。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述栅极图形层上依次形成第二绝缘层以及源漏层的步骤，具体包括：

在所述栅极图形层上形成第二绝缘层；

形成贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一通孔、第二通孔、第三通孔以及第四通孔；

在所述第二绝缘层上形成第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极；其中，所述第一源极和第一漏极分别通过所述第一通孔和第二通孔连接所述第一多晶硅层的两个N+掺杂连接，所述第二源极和第二漏极分别通过所述第三通孔和第四通孔连接所述第二多晶硅层的两个P+掺杂连接。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一多晶硅层进行N+掺杂，对所述第二多晶硅层进行P+掺杂的步骤之前，还包括：

对所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层进行P掺杂，以调整所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的电学特性。