[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510636146.X | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105390536A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 赵喜高 | 申请（专利权）人： | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/66 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果;温洁 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底；在所述半导体衬底的正面外延生长成的N-漂移区；在上述N-漂移区上制备形成包括栅极和发射极的上部端子；在所述半导体衬底的背面形成集电极的下部端子；在所述N-漂移区内部至少形成一个P型浮岛。本发明提供的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，旨在防止绝缘栅双极型晶体管击穿电压下降，减少导通压降，以提高IGBT元器件在高电压领域应用时的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括半导体衬底；在所述半导体衬底的正面外延生长成的N‑漂移区；在上述N‑漂移区上制备形成包括栅极和发射极的上部端子；在所述半导体衬底的背面形成集电极的下部端子；在所述N‑漂移区内部至少形成一个P型浮岛。
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