[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括半导体衬底；在所述半导体衬底的正面外延生长成的N-漂移区；在上述N-漂移区上制备形成包括栅极和发射极的上部端子；在所述半导体衬底的背面形成集电极的下部端子；在所述N-漂移区内部至少形成一个P型浮岛。

2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S01、准备P型衬底，在所述P型衬底上外延生长形成预定厚度的N-漂移区；

S02、在所述N-漂移区上喷涂光刻胶，进行光刻加工；在光刻胶喷涂处注入硼离子，形成至少一个浮岛结构的P层；

S03、在所述浮岛结构的P层的N-漂移区，通过外延生长再形成一个N-漂移区；

S04、在所述再形成的N-漂移区上形成包括发射极和栅极的上部端子，在所述P型衬底的背面形成包括集电极的下部端子。

3.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：所述外延生长是将P型衬底置于超高真空腔中，将需要生长的单晶物质加热到预定温度，使其以分子流射出，在P型衬底上生长出单晶层。

4.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S11、提供一个N型半导体材料制成的N型衬底；

S12、将光刻胶溶液喷涂到所述N型衬底表面，定义需要注入的区域，进行光刻加工；然后使用离子注入法将硼离子嵌入衬底中，形成至少一个浮岛结构的P层；

S13、在所述浮岛结构的P层的N型衬底表面，外延生长形成一层N-漂移区；

S14、在所述外延生成的N-漂移区上形成包括发射极和栅极的上部端子；然后，通过CMP工艺对所述N型衬底的背面进行减薄/抛光，形成包括P型集电极的下部端子。

5.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S21、提供预定掺杂浓度的N型半导体材料制成的第一衬底；

S22、在所述第一衬底表面上形成一层光刻胶薄膜，进行光刻加工，接着，用离子注入法将高能硼离子嵌入第一衬底中，形成至少一个浮岛结构的P层；

S23、提供与所述第一衬底掺杂浓度相同的第二衬底，将第二衬底与所述第一衬底黏着键合形成N-漂移区；

S24、将第二衬底的表面通过CMP工艺减薄/抛光，形成包括发射极和栅极的上部端子；并通过CMP工艺对所述第一衬底的背面进行减薄/抛光，形成包括P型集电极的下部端子。