[发明专利]处理载体的方法、操作处理腔的方法和处理晶圆的方法有效
| 申请号： | 201510634108.0 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105470110B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | M·伦纳;L·布伦彻 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及处理载体的方法、操作处理腔的方法和处理晶圆的方法。根据各种实施例，处理载体的方法可以包括：在处理腔内执行干法蚀刻处理，以通过蚀刻剂从载体去除第一材料，处理腔包括暴露的内表面，内表面包括铝且蚀刻剂包括卤素；以及随后在处理腔中执行氢等离子体处理，以从载体或处理腔的内表面中的至少一个去除第二材料。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 载体 方法 操作 | ||
【主权项】：
1.一种处理载体的方法，所述方法包括：在处理腔的处理区域中通过蚀刻剂执行干法蚀刻处理，以由蚀刻剂从所述载体去除第一材料，所述处理腔包括暴露的内表面，所述暴露的内表面包括铝，且所述蚀刻剂包括卤素；以及，随后，在所述处理腔的同一处理区域中执行氢等离子体灰化处理，由此从所述载体剥离抗蚀剂掩膜，其中所述氢等离子体处理没有氧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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