[发明专利]处理载体的方法、操作处理腔的方法和处理晶圆的方法

权利要求书

1.一种处理载体的方法，所述方法包括：

在处理腔的处理区域中通过蚀刻剂执行干法蚀刻处理，以由蚀刻剂从所述载体去除第一材料，所述处理腔包括暴露的内表面，所述暴露的内表面包括铝，且所述蚀刻剂包括卤素；以及，随后，

在所述处理腔的同一处理区域中执行氢等离子体灰化处理，由此从所述载体剥离抗蚀剂掩膜，

其中所述氢等离子体处理没有氧。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括下述材料组中的至少一种材料，所述组由：

金属；类金属，金属合金；

金属氮化物；类金属氮化物；

金属氧化物；类金属氧化物；

金属氮氧化物；类金属氮氧化物；

金属碳化物；类金属碳化物组成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述卤素包括下述卤素组中的至少一种卤素，所述组由氟；氯；溴；以及碘组成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻剂包括卤素化合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述卤素的一部分在所述干法蚀刻处理期间与所述抗蚀剂化学反应。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理腔的内表面的一部分与所述卤素化学反应形成铝卤化物。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在执行所述氢等离子体灰化处理以从所述处理腔去除残留蚀刻剂之前通过净化气体净化所述处理腔。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述干法蚀刻处理包括通过RF等离子体源由所述蚀刻剂提供等离子体。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢等离子体灰化处理包括通过RF等离子体源由含氢气体提供等离子体。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述含氢气体包括氢气。

11.根据权利要求1所述的方法，其中通过所述氢等离子体灰化处理从所述处理腔去除由所述干法蚀刻处理产生的在所述处理腔的内侧壁处的气态形式的沉淀物。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述干法蚀刻处理期间和所述氢等离子体灰化处理期间将所述处理腔抽真空。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体包括半导体晶圆。

14.一种操作等离子体处理腔的方法，所述方法包括：

在等离子体处理腔内安放载体，所述载体包括第一材料的在第一等离子体处理中待从所述载体去除的至少一部分；以及所述载体进一步包括在第二等离子体处理中待从所述载体去除的抗蚀剂层；以及随后

在所述等离子体处理腔内执行所述第一等离子体处理以提供第一等离子体，由此去除所述第一材料的所述至少一部分，其中所述等离子体处理腔包括暴露的内表面，所述暴露的内表面包括铝，且所述第一等离子体由含卤素气体提供；以及，随后，

在所述等离子体处理腔内原位执行第二等离子体处理以提供第二等离子体，由此去除所述抗蚀剂层，其中所述第二等离子体由气态氢提供，其中所述第二等离子体处理没有氧。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一材料包括金属氮化物，其中所述第一等离子体由含氯气体提供，并且其中所述抗蚀剂层包括图案化光致抗蚀剂。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一等离子体处理包括：

将所述含卤素气体引入所述等离子体处理腔；

激活等离子体源以由所引入的含卤素气体形成所述第一等离子体；

去激活所述等离子体源；以及

从所述等离子体处理腔去除残留的所述含卤素气体。