[发明专利]处理载体的方法、操作处理腔的方法和处理晶圆的方法

说明书

本公开的各种实施例涉及处理载体的方法、操作处理腔的方法和处理晶圆的方法。根据各种实施例，处理载体的方法可以包括：在处理腔内执行干法蚀刻处理，以通过蚀刻剂从载体去除第一材料，处理腔包括暴露的内表面，内表面包括铝且蚀刻剂包括卤素；以及随后在处理腔中执行氢等离子体处理，以从载体或处理腔的内表面中的至少一个去除第二材料。

技术领域

多个实施例一般地涉及处理载体的方法、操作等离子体处理腔的方法和处理半导体晶圆的方法。

背景技术

通常，如用于制造集成电路的半导体处理可以包括各种技术中的多种处理，通常包括分层、图案化、掺杂和/或退火。用于在半导体处理期间从载体去除材料的处理可包括干法蚀刻，例如等离子体蚀刻、离子束研磨或反应离子蚀刻(RIE)。等离子体处理，例如反应离子蚀刻，可在处理腔(如离子处理腔)内执行。可由等离子体形成气体(如气态蚀刻剂或反应气体)通过电感耦合等离子体(ICP)源或通过电容耦合等离子体(CCP)源提供等离子体。

发明内容

根据多个实施例，处理载体的方法可包括：在处理腔中通过蚀刻剂执行干法蚀刻处理以从载体去除第一材料；处理腔包括暴露的内表面，其包括铝且蚀刻剂包括卤素；以及随后，在处理腔内执行氢等离子体处理以从载体或处理腔的内表面中的至少一个去除第二材料。

附图说明

在附图中，不同视图中的相同参考标记一般指代相同部件。附图不一定按比例绘制，而通常为说明本发明的原理而加以强调。在下文描述中，本发明的各种实施例参考附图而被描述，其中：

图1示出用于蚀刻钛层和在蚀刻后去除抗蚀剂掩模的通常处理的示意流程图以及处理期间可能发生的化学反应；

图2示出根据各种实施例的处理载体的方法示意性流程图；

图3示出根据各种实施例的蚀刻钛层并在蚀刻后从载体去除抗蚀剂掩模的方法的示意性流程图和处理中可能发生的化学反应；

图4示出根据各种实施例的用于操作等离子体处理腔的方法的示意性流程图；

图5示出根据各种实施例的用于处理半导体晶圆的方法的示意性流程图；以及

图6示出根据各种实施例的等离子体处理腔的示意性侧视图或截面图。

具体实施方式

下文详细描述参考附图，附图通过说明方式显示了本发明可被在其中实践的具体细节和实施例。

词语“示例性”在此用于表示“作为示例、实例或说明”。本文作为“示例性”描述的任何实施例或设计相对其它实施例或示例不是必须构成优选的或有益的。

关于沉积材料形成在侧面或表面“之上”所使用的词语“之上”，在本文中可被用于表示沉积材料相对于所指的侧面和表面可“直接在上面”形成，如与所指的侧面和表面直接接触。关于沉积材料形成在侧面或表面“之上”所使用的词语“之上”，在本文中可被用于表示沉积材料相对于所指的侧面和表面可“间接在上面”形成，并且一个或多个额外的层被设置在所指的侧面或表面和沉积材料之间。

根据各种实施例，至少一个集成电路结构(或至少一个集成电路)可形成为在载体上或载体内中的至少一种。载体可为半导体载体，如半导体晶圆，如半导体衬底，或半导体工件，或者载体可以是任何适合的载体，包括由半导体材料制成的至少一个区域。