[发明专利]一种新型系统级封装

摘要

本发明实施例公开了一种新型系统级封装。该封装包括：基板、高端MOSFET芯片、第一金属端子、低端MOSFET芯片、折线型金属片、集成电路IC芯片、至少一个无源器件。本发明通过将封装电路中的无源器件设置在折线型金属片两侧，实现折线型金属片对无源器件的电磁干扰的保护。同时，IC芯片通过金属球倒装设置在基板上，形成最短电路，减低电阻。两个MOSFET芯片使用叠加模具工艺堆叠设置在基板上，减少了该系统封装的尺寸。

主权项

1.一种系统级封装，其特征在于，包括：基板，用于承载封装结构中的元器件；高端金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET芯片，设置在基板表面，其底部高端漏极通过基板布线与输入电压端电性连接；第一金属端子，所述第一金属端子的一端与基板电路相连，另一端设置在高端MOSFET芯片表面，用于连接高端MOSFET芯片的高端源极；低端MOSFET芯片，设置于第一金属端子表面，低端MOSFET芯片的底部为低端漏极，所述低端漏极通过第一金属端子与高端MOSFET芯片顶部的高端源极串连；折线型金属片，所述折线型金属片的横端包含有第二金属端子，第二金属端子连接低端MOSFET芯片顶部低端源极，竖端与基板地线端电性连接；其中，所述折线型金属片为T型金属片，有保护无源器件的电磁干扰的功能，及对整个封装有散热的功能；所述T型金属片横端将整个封装结构的含元器件方向的表面覆盖；集成电路IC芯片，设置于基板表面，通过基板电路分别与高端MOSFET芯片和低端MOSFET芯片的栅极相连，用于功率控制；至少一个无源器件，用于根据电路相应需求设置在折线型金属片两侧基板电路的相应位置，构成完整的直流‑直流DC‑DC功率切换电路。