[发明专利]一种新型系统级封装

说明书

本发明实施例公开了一种新型系统级封装。该封装包括：基板、高端MOSFET芯片、第一金属端子、低端MOSFET芯片、折线型金属片、集成电路IC芯片、至少一个无源器件。本发明通过将封装电路中的无源器件设置在折线型金属片两侧，实现折线型金属片对无源器件的电磁干扰的保护。同时，IC芯片通过金属球倒装设置在基板上，形成最短电路，减低电阻。两个MOSFET芯片使用叠加模具工艺堆叠设置在基板上，减少了该系统封装的尺寸。

技术领域

本发明实施例涉及半导体封装技术，尤其涉及一种新型系统级封装。

背景技术

如图1所示，为由2个N型金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)连接形成的功率切换器的电路图，其中高端(High Side，HS)MOSFET的漏极D1连接电压输入(Vin)端，其源极S1连接低端(LowSide，LS)MOSFET的漏极D2，而低端MOSFET的源极S2则连接地线(Gnd)端。通常，在该功率切换器的Vin-Gnd两端之间还并联设置有一个旁路电路电容C，该电容的设置是为了压制功率切换器启动时电压的冲激，以增进该功率切换器的性能。更进一步，如图2所示，在高端MOSFET的栅极G1和低端MOSFET的栅极G2的两端并联连接一功率控制器(Power IntegratedCircuit，PIC)，则形成一直流-直流(DC-DC)转换器。

在目前的半导体封装技术中，DC-DC转换器封装结构不断地将各元器件集成封装，从而使得该半导体封装走向微型化。因此，半导体上元器件的密度也随之不断增加，从而使得元器件间电磁干扰增大，系统散热急需提高。

发明内容

本发明实施例提供一种新型系统级封装，以实现屏蔽电磁干扰，同时提高系统散热效率。

本发明实施例提供了一种新型系统级封装，该封装包括：

基板，用于承载封装结构中的元器件；

MOSFET芯片，设置在基板表面，其底部高端漏极通过基板布线与输入电压端电性连接；

第一金属端子，所述第一金属端子的一端与基板电路相连，另一端设置在高端MOSFET芯片表面，用于连接高端MOSFET芯片的高端源极；

低端MOSFET芯片，设置于第一金属端子表面，低端MOSFET芯片的底部为低端漏极，所述低端漏极通过第一金属端子与高端MOSFET芯片顶部的高端源极串连；

折线型金属片，所述折线型金属片的横端包含有第二金属端子，第二金属端子连接低端MOSFET芯片顶部低端源极，竖端与基板地线端电性连接；

IC芯片，设置于基板表面，通过基板电路分别与高端MOSFET芯片和低端MOSFET芯片的栅极相连，用于功率控制；

至少一个无源器件，用于根据电路相应需求设置在折线型金属片两侧基板电路的相应位置，构成完整的DC-DC功率切换电路。

进一步的，所述折线型金属片为T型金属片。

进一步的，所述T型金属片横端将整个封装结构的含元器件方向的表面覆盖。

进一步的，所述折线型金属片为L型金属片。

进一步的，所述封装还包括：矩形金属板，罩在电路中电感器件的上方。

进一步的，所述IC芯片使用引线键合工艺与基板电路连接。

进一步的，所述IC芯片使用倒装芯片工艺与基板电路连接。

进一步的，所述IC芯片与基板电路通过金属球连接。

进一步的，所述MOSFET芯片使用叠加模具工艺设置在基板上。