[发明专利]液晶显示设备和电子设备有效

专利信息
申请号: 201510626161.6 申请日: 2010-11-19
公开(公告)号: CN105140245B 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及液晶显示设备和电子设备。本发明为了减少液晶显示设备的功耗并且抑制液晶显示设备的显示劣化。为了抑制由诸如温度的外部因素引起的显示劣化。将其沟道形成区是使用氧化物半导体层形成的晶体管用于设置在每个像素中的晶体管。注意,通过利用高纯度氧化物半导体层,该晶体管在室温下的断态电流可以是10aA/μm或更小,并且在85℃下的断态电流可以是100aA/μm或更小。结果,可以减少液晶显示设备的功耗并且可以抑制显示劣化。此外,如上所述,该晶体管在高达85℃的温度下的断态电流可以是100aA/μm或更小。因此,可以抑制由诸如温度的外部因素引起的液晶显示设备的显示劣化。
搜索关键词: 液晶显示设备 晶体管 劣化 断态电流 氧化物半导体层 电子设备 功耗 沟道形成区 高纯度 外部 像素
【主权项】:
1.一种液晶显示设备,其特征在于,具有:晶体管,所述晶体管在氧化物半导体层中具有沟道形成区;液晶元件,所述液晶元件经由所述晶体管被输入图像信号,在所述晶体管的截止状态中,所述图像信号经由所述晶体管的泄漏的量比所述图像信号经由所述液晶元件的泄漏的量小,在形成有所述晶体管的衬底的温度为85℃时,沟道长度为3μm以上、漏极电压为6V且栅极电压为‑10V的情况下的所述晶体管的每1μm沟道宽度的断态电流在1×10‑16A/μm以下。
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