[发明专利]液晶显示设备和电子设备有效
申请号: | 201510626161.6 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN105140245B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及液晶显示设备和电子设备。本发明为了减少液晶显示设备的功耗并且抑制液晶显示设备的显示劣化。为了抑制由诸如温度的外部因素引起的显示劣化。将其沟道形成区是使用氧化物半导体层形成的晶体管用于设置在每个像素中的晶体管。注意,通过利用高纯度氧化物半导体层,该晶体管在室温下的断态电流可以是10aA/μm或更小,并且在85℃下的断态电流可以是100aA/μm或更小。结果,可以减少液晶显示设备的功耗并且可以抑制显示劣化。此外,如上所述,该晶体管在高达85℃的温度下的断态电流可以是100aA/μm或更小。因此,可以抑制由诸如温度的外部因素引起的液晶显示设备的显示劣化。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示设备 晶体管 劣化 断态电流 氧化物半导体层 电子设备 功耗 沟道形成区 高纯度 外部 像素 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示设备,其特征在于,具有:晶体管,所述晶体管在氧化物半导体层中具有沟道形成区;液晶元件,所述液晶元件经由所述晶体管被输入图像信号,在所述晶体管的截止状态中,所述图像信号经由所述晶体管的泄漏的量比所述图像信号经由所述液晶元件的泄漏的量小,在形成有所述晶体管的衬底的温度为85℃时,沟道长度为3μm以上、漏极电压为6V且栅极电压为‑10V的情况下的所述晶体管的每1μm沟道宽度的断态电流在1×10‑16A/μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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