[发明专利]液晶显示设备和电子设备有效
申请号: | 201510626161.6 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN105140245B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示设备 晶体管 劣化 断态电流 氧化物半导体层 电子设备 功耗 沟道形成区 高纯度 外部 像素 | ||
本发明涉及液晶显示设备和电子设备。本发明为了减少液晶显示设备的功耗并且抑制液晶显示设备的显示劣化。为了抑制由诸如温度的外部因素引起的显示劣化。将其沟道形成区是使用氧化物半导体层形成的晶体管用于设置在每个像素中的晶体管。注意,通过利用高纯度氧化物半导体层,该晶体管在室温下的断态电流可以是10aA/μm或更小,并且在85℃下的断态电流可以是100aA/μm或更小。结果,可以减少液晶显示设备的功耗并且可以抑制显示劣化。此外,如上所述,该晶体管在高达85℃的温度下的断态电流可以是100aA/μm或更小。因此,可以抑制由诸如温度的外部因素引起的液晶显示设备的显示劣化。
本申请是申请号为201080057378.5(PCT/JP2010/071192)、申请日为2010年11月9日、名称为“液晶显示设备和电子设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及液晶显示设备以及包括该液晶显示设备的电子设备。
背景技术
液晶显示设备被广泛地用于各种显示设备,从诸如电视机的大型显示设备到诸如移动电话的小型显示设备。因此,对液晶显示设备的研发意图实现成本的降低或者提供高附加值的液晶显示设备。尤其是近些年来,在全球环境中受到日益关注,由此,研发消耗较少功率的液晶显示设备也受到了更多关注。
在专利文献1中公开了用于减少液晶显示设备中的功耗的方法。具体地,公开了一种液晶显示设备,其中,在全部的扫描线和数据信号线均处于非选择状态的非活动期间中时,所有数据信号线均与数据信号驱动器电分离,从而获得高阻抗状态。
【参考文献】
【专利文献1】日本公开专利申请号2001-312253。
发明内容
液晶显示设备通常包括具有布置成矩阵形式的多个像素的像素部分。像素包括:晶体管,该晶体管控制图像信号的输入;液晶元件,根据图像信号输入向该液晶元件施加电压;以及,辅助电容器,该辅助电容器存储施加至该液晶元件的电压。该液晶元件包括根据施加的电压改变其排列的液晶材料。通过控制液晶材料的排列,可以控制每个像素的显示。
在专利文献1所公开的液晶显示设备中,在非活动期间,图像信号没有被输入至包括在像素部分中的每个像素。也就是,在图像信号被保持在每个像素中时,用于控制图像信号的输入的晶体管被长时间地保持在截止状态。因此,图像信号经由晶体管的泄漏对每个像素的显示的影响变得明显。具体地,减少了施加至液晶元件的电压,由此包括该液晶元件的像素的显示劣化(改变)变得明显。
此外,图像信号经由晶体管的泄漏的量根据该晶体管的操作温度变化。具体地,图像信号经由晶体管的泄漏的量随着操作温度的上升而增加。因此,对于专利文献1公开的液晶显示设备来说,当其在环境变化显著的室外使用时,难以保持均匀的显示质量。
因此,本发明的实施例的一个目的是减少液晶显示设备的功耗并且抑制显示劣化(显示质量的下降)。
本发明的实施例的一个目的是提供一种液晶显示设备,其中,由于诸如温度之类的外部因素所导致的显示劣化(显示质量的下降)得到了抑制。
上述问题可以通过使用其沟道形成区是使用氧化物半导体层形成的晶体管作为要提供在每个像素中的晶体管来解决。注意,该氧化物半导体层是通过全面地去除将成为电子提供者(施主)的杂质(氢、水等等)而被高度纯净化的氧化物半导体层。在具有10μm的沟道长度的晶体管中,在室温下,沟道宽度中每微米的断态电流可以是10aA(1×10-17A)或更少(该值由10aA/μm表示)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的