[发明专利]液晶显示设备和电子设备

权利要求书

1.一种液晶显示设备，其特征在于，具有：

晶体管，所述晶体管在氧化物半导体层中具有沟道形成区；

液晶元件，所述液晶元件经由所述晶体管被输入图像信号，

在所述晶体管的截止状态中，所述图像信号经由所述晶体管的泄漏的量比所述图像信号经由所述液晶元件的泄漏的量小，

在形成有所述晶体管的衬底的温度为85℃时，沟道长度为3μm以上、漏极电压为6V且栅极电压为-10V的情况下的所述晶体管的每1μm沟道宽度的断态电流在1×10^-16A/μm以下。

2.一种液晶显示设备，其特征在于，具有：

晶体管，所述晶体管在氧化物半导体层中具有沟道形成区；

液晶元件，所述液晶元件经由所述晶体管被输入图像信号，

在所述晶体管的截止状态中，所述图像信号经由所述晶体管的泄漏的量比所述图像信号经由所述液晶元件的泄漏的量小，

分别在形成有所述晶体管的衬底的温度为-30℃时以及在所述衬底的温度为120℃时，沟道长度为3μm以上、漏极电压为6V且栅极电压为-10V的情况下的所述晶体管的每1μm沟道宽度的断态电流在1×10^-16A/μm以下。

3.一种液晶显示设备，其特征在于，具有：

晶体管，所述晶体管在氧化物半导体层中具有沟道形成区；

液晶元件，所述液晶元件经由所述晶体管被输入图像信号，

在所述晶体管的截止状态中，所述图像信号经由所述晶体管的泄漏的量比所述图像信号经由所述液晶元件的泄漏的量小，

分别在形成有所述晶体管的衬底的温度为0℃、25℃、40℃、60℃、80℃以及100℃时，沟道长度为3μm以上、源极-漏极间电压为6V且栅极电压为-10V的情况下的所述晶体管的每1μm沟道宽度的断态电流在1×10^-16A/μm以下。

4.一种液晶显示设备，其特征在于，具有：

晶体管，所述晶体管在氧化物半导体层中具有沟道形成区；

液晶元件，所述液晶元件经由所述晶体管被输入图像信号，

在所述晶体管的截止状态中，所述图像信号经由所述晶体管的泄漏的量比所述图像信号经由所述液晶元件的泄漏的量小，

在形成有所述晶体管的衬底的温度为室温时，沟道长度为3μm以上、源极-漏极间电压为10V且栅极电压在-20V至-5V之间变化的情况下的所述晶体管的每1μm沟道宽度的断态电流在1×10^-17A/μm以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶显示设备，其特征在于，

所述氧化物半导体层的氢浓度在1×10¹⁶atoms/cm³以下。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶显示设备，其特征在于，

所述氧化物半导体层的载流子密度小于1×10¹⁴/cm³。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶显示设备，其特征在于，

所述氧化物半导体层的带隙在2.0eV以上。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶显示设备，其特征在于，

所述氧化物半导体层被i型化或者基本i型化。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶显示设备，其特征在于，

还具有保持与所述图像信号对应的电压的电容器。

10.一种电子装置，其特征在于，具有：

根据权利要求1至4中任一项所述的液晶显示设备；以及

操作按钮、壳体、扬声器或者天线。