[发明专利]一种发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 201510599216.9 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN105185881B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 尹灵峰;王江波 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 215600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法,属于半导体技术领域。所述发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型层、发光层、P型层、氧化铟锡ITO导电薄膜,所述发光二极管上设有从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽,所述ITO导电薄膜上设有P电极,所述N型层上设有N电极,所述发光二极管还包括设在所述P型层与所述ITO导电薄膜之间的石墨烯电流扩展层。本发明通过在P型层与ITO导电薄膜之间设置石墨烯电流扩展条,由于石墨烯是目前电阻率最小的材料,因此可以实现扩展电流的作用。同时石墨烯几乎是完全透明的,可以减少扩展条对光线的吸收,提高发光二极管的出光效率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 石墨烯 蓝宝石 衬底 半导体技术领域 电流扩展层 出光效率 电流扩展 氧化铟锡 依次层叠 电阻率 发光层 透明的 制作 延伸 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,所述发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型层、发光层、P型层、氧化铟锡ITO导电薄膜,所述发光二极管上设有从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽,所述ITO导电薄膜上设有P电极,所述N型层上设有N电极,其特征在于,所述发光二极管还包括设在所述P型层与所述ITO导电薄膜之间的石墨烯电流扩展层,所述ITO导电薄膜包覆在所述石墨烯电流扩展层外,并与所述P型层贴合。
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