[发明专利]一种发光二极管及其制作方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型层、发光层、P型层、氧化铟锡ITO导电薄膜，所述发光二极管上设有从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽，所述ITO导电薄膜上设有P电极，所述N型层上设有N电极，所述发光二极管还包括设在所述P型层与所述ITO导电薄膜之间的石墨烯电流扩展层。本发明通过在P型层与ITO导电薄膜之间设置石墨烯电流扩展条，由于石墨烯是目前电阻率最小的材料，因此可以实现扩展电流的作用。同时石墨烯几乎是完全透明的，可以减少扩展条对光线的吸收，提高发光二极管的出光效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管及其制作方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种半导体发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等。

现有的LED包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层、电流扩展层，P型层上开设有从P型层延伸到N型层的凹槽，电流扩展层上设有P型电极，N型层上设有N型电极。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

为了实现电流的扩展，电流扩展层采用电阻率小的金属实现，但是金属同时会遮挡射向P型层的光，降低LED的出光效率。

发明内容

为了解决现有技术降低LED的出光效率的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管及其制作方法。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型层、发光层、P型层、氧化铟锡ITO导电薄膜，所述发光二极管上设有从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽，所述ITO导电薄膜上设有P电极，所述N型层上设有N电极，所述发光二极管还包括设在所述P型层与所述ITO导电薄膜之间的石墨烯电流扩展层，所述ITO导电薄膜包覆在所述石墨烯电流扩展层外，并与所述P型层贴合。

可选地，所述石墨烯电流扩展层的厚度为1-50nm。

可选地，所述石墨烯电流扩展层包括接点和与所述接点电连接的条形区段，所述条形区段自所述接点向外延伸。

可选地，所述P电极包括Au、Al、Pt、Ti、Ni、Cr中的一种或多种。

可选地，所述N电极包括Au、Al、Pt、Ti、Ni、Cr中的一种或多种。

另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管的制作方法，所述制作方法包括：

在蓝宝石衬底上依次生长N型层、发光层、以及P型层；

在所述P型层上开设从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽；

在所述P型层上形成石墨烯电流扩展层；

在所述石墨烯电流扩展层和所述P型层上形成氧化铟锡ITO导电薄膜，并进行高温退火，所述ITO导电薄膜包覆在所述石墨烯电流扩展层外，并与所述P型层贴合；

在所述ITO导电薄膜上设置P电极，在所述N型层上设置N电极。

可选地，所述高温退火的温度为400-700℃。

可选地，所述石墨烯电流扩展层的厚度为1-50nm。

可选地，所述石墨烯电流扩展层包括接点和与所述接点电连接的条形区段，所述条形区段自所述接点向外延伸。

可选地，所述P电极包括Au、Al、Pt、Ti、Ni、Cr中的一种或多种，所述N电极包括Au、Al、Pt、Ti、Ni、Cr中的一种或多种。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：