[发明专利]一种发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201510599216.9 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105185881B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 石墨烯 蓝宝石 衬底 半导体技术领域 电流扩展层 出光效率 电流扩展 氧化铟锡 依次层叠 电阻率 发光层 透明的 制作 延伸 吸收 | ||
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型层、发光层、P型层、氧化铟锡ITO导电薄膜，所述发光二极管上设有从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽，所述ITO导电薄膜上设有P电极，所述N型层上设有N电极，其特征在于，所述发光二极管还包括设在所述P型层与所述ITO导电薄膜之间的石墨烯电流扩展层，所述ITO导电薄膜包覆在所述石墨烯电流扩展层外，并与所述P型层贴合。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述石墨烯电流扩展层的厚度为1-50nm。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述石墨烯电流扩展层包括接点和与所述接点电连接的条形区段，所述条形区段自所述接点向外延伸。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述P电极包括Au、Al、Pt、Ti、Ni、Cr中的一种或多种。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述N电极包括Au、Al、Pt、Ti、Ni、Cr中的一种或多种。
6.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在蓝宝石衬底上依次生长N型层、发光层、以及P型层；
在所述P型层上开设从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽；
在所述P型层上形成石墨烯电流扩展层；
在所述石墨烯电流扩展层和所述P型层上形成氧化铟锡ITO导电薄膜，并进行高温退火，所述ITO导电薄膜包覆在所述石墨烯电流扩展层外，并与所述P型层贴合；
在所述ITO导电薄膜上设置P电极，在所述N型层上设置N电极。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述高温退火的温度为400-700℃。
8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述石墨烯电流扩展层的厚度为1-50nm。
9.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述石墨烯电流扩展层包括接点和与所述接点电连接的条形区段，所述条形区段自所述接点向外延伸。
10.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述P电极包括Au、Al、Pt、Ti、Ni、Cr中的一种或多种，所述N电极包括Au、Al、Pt、Ti、Ni、Cr中的一种或多种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(苏州）有限公司，未经华灿光电(苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510599216.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
