[发明专利]制作发光二极管封装结构的方法以及发光二极管元件有效
申请号: | 201510593586.1 | 申请日: | 2011-05-18 |
公开(公告)号: | CN105789408B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 夏兴国;余致广 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/00;H01L23/538;H01L21/60 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 王芝艳;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种制作发光二极管封装结构的方法及发光二极管元件,该方法包括将多个彼此分离的发光二极管芯片接合至一基板,其中各发光二极管芯片包括一n型掺杂层、一量子阱有源层、以及一p型掺杂层;在彼此分离的发光二极管芯片与基板上沉积一隔离层;蚀刻隔离层以形成多个导孔开口,从而暴露出各发光二极管芯片的局部以及部分的基板;形成多个电性连接结构在隔离层上以及导孔开口中以电性连接各发光二极管芯片的n型掺杂层与p型掺杂层之一与基板;以及将彼此分离的发光二极管芯片与基板切割成多个发光二极管封装结构。此外,本发明另一实施例提供一种发光二极管元件。本发明提供了一种可电性连接小尺寸的发光二极管并同时可减少工艺时间与制作成本。 | ||
搜索关键词: | 制作 发光二极管 封装 结构 方法 以及 元件 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管元件,包括:发光二极管芯片,包含顶面及位于该顶面上的顶电极;第一金属结构;隔离层,配置在该顶面及该第一金属结构上,并包括多个导孔开口以暴露出该顶电极以及至少部分的该第一金属结构;内连线层,配置在该隔离层与该多个导孔开口上,以电性连接该顶电极与该第一金属结构;以及荧光粉层,位于该顶面上,并覆盖该内连线层与该隔离层;其中,该荧光粉层与该顶电极被该隔离层或该内连线层所分隔。
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