[发明专利]制作发光二极管封装结构的方法以及发光二极管元件

说明书

一种制作发光二极管封装结构的方法及发光二极管元件，该方法包括将多个彼此分离的发光二极管芯片接合至一基板，其中各发光二极管芯片包括一n型掺杂层、一量子阱有源层、以及一p型掺杂层；在彼此分离的发光二极管芯片与基板上沉积一隔离层；蚀刻隔离层以形成多个导孔开口，从而暴露出各发光二极管芯片的局部以及部分的基板；形成多个电性连接结构在隔离层上以及导孔开口中以电性连接各发光二极管芯片的n型掺杂层与p型掺杂层之一与基板；以及将彼此分离的发光二极管芯片与基板切割成多个发光二极管封装结构。此外，本发明另一实施例提供一种发光二极管元件。本发明提供了一种可电性连接小尺寸的发光二极管并同时可减少工艺时间与制作成本。

本申请为分案申请，其母案申请的申请号为201110133003.9，申请日为2011年05月18日，发明名称为“制作发光二极管封装结构的方法以及发光二极管元件”。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件及其制作方法，且尤其涉及发光二极管封装结构的制作方法以及发光二极管元件。

背景技术

对发光二极管的P/N结施加电压可使发光二极管发光。发光二极管元件可广泛地使用在各种应用中，例如指示器(indicator)、招牌、光源、以及其他种类的照明元件。可制作并进一步封装发光二极管元件以用于各种应用。一般而言，发光二极管的封装方法包括将多个发光二极管芯片分别接合至封装基板，然而，当发光二极管芯片的尺寸缩小时，这种封装方法并不符合成本效益并且存在许多工艺上的挑战。举例来说，随着发光二极管芯片的尺寸日益缩小，以打线接合的方式电性连接发光二极管芯片与对应的封装基板变得愈来愈困难，而这限制了打线接合工艺在小尺寸的发光二极管芯片的应用。再者，用以互相连接的打线接合工艺为一连续工艺(sequential process)，随着打线接合的数量增加，该连续工艺所需的组装时间(assembly time)会随之增加。此外，打线的长度会降低发光二极管封装的电性与光学特性。因此，急需一种可电性连接小尺寸的发光二极管并同时可减少工艺时间与制作成本的发光二极管封装结构及其制作方法。

发明内容

为克服现有技术的缺陷，本发明一实施例提供一种制作发光二极管封装结构的方法，包括将多个彼此分离的发光二极管芯片接合至一基板，其中各发光二极管芯片包括一n型掺杂层、一量子阱有源层、以及一p型掺杂层；在彼此分离的发光二极管芯片与基板上沉积一隔离层；蚀刻隔离层以形成多个导孔开口，从而暴露出各发光二极管芯片的局部以及部分的基板；形成多个电性连接结构在隔离层上以及导孔开口中以电性连接各发光二极管芯片的n型掺杂层与p型掺杂层之一与基板；以及将彼此分离的发光二极管芯片与基板切割成多个发光二极管封装结构。

本发明另一实施例提供一种制作发光二极管封装结构的方法，包括提供多个彼此分离的发光二极管芯片，其中各发光二极管芯片包括位于一生长基板上的一n型掺杂层、一量子阱有源层、一p型掺杂层与一p型接触金属层；将彼此分离的发光二极管芯片的p型接触金属层接合至一基板；自彼此分离的发光二极管芯片移除生长基板；沉积一隔离层在彼此分离的发光二极管芯片与基板上；蚀刻隔离层以形成多个导孔开口，从而暴露出各发光二极管芯片的多个部分以及基板的多个部分；沉积一内连线层在隔离层与导孔开口上，以形成多个电性连接结构在各发光二极管芯片的n型掺杂层与基板之间；在各发光二极管芯片上形成一荧光粉层与一透镜；以及将彼此分离的发光二极管芯片与基板切割成多个发光二极管封装结构。

本发明又一实施例提供一种发光二极管元件，包括一基板，包括一接点与一电极；一发光二极管芯片，经由接点接合至基板；一隔离层，配置在发光二极管芯片与基板上，其中隔离层包括多个导孔开口以暴露出发光二极管芯片的多个部分与基板的电极；以及一内连线层，配置在隔离层与导孔开口上，以电性连接发光二极管芯片与基板的电极。

本发明提供了一种可电性连接小尺寸的发光二极管并同时可减少工艺时间与制作成本。

附图说明

图1-5示出本发明一个或多个实施例的一具有发光二极管芯片的半导体结构在各芯片级封装步骤的剖面图。