[发明专利]形成消除气泡的薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种方法(100)，所述方法(100)实质上减少在已沉积到半导体晶片上的高粘度流体树脂中形成气泡。所述方法(100)具有使半导体晶片自旋的步骤(114)，及将高粘度流体树脂直接施涂到所述自旋半导体晶片上使得将所述流体树脂施涂成圆形图案的步骤(116)。所述方法(100)还具有如下的步骤(118)：使所述半导体晶片停止使得所述流体树脂从所述圆形图案向内继续到所述半导体晶片的中心，在所述半导体晶片的所述中心处形成流体树脂洼坑。所述方法(100)进一步具有在已形成所述洼坑之后等待预定时间周期的步骤(120)，及在所述预定时间周期之后使所述半导体晶片以高速自旋的步骤(122)。

主权项

一种在处理站中形成薄膜的方法，所述处理站具有晶片卡盘及供应管线，所述供应管线具有管状施涂开口，所述方法包括：在半导体晶片自旋时将流体树脂从所述管状施涂开口施涂到所述半导体晶片上，且改变所述晶片卡盘与所述管状施涂开口之间的相对位置使得以圆形图案将所述流体树脂施涂到所述半导体晶片上；及在已形成所述圆形图案之后，使所述半导体晶片从自旋减速到停止，且改变所述晶片卡盘与所述管状施涂开口之间的相对位置使得所述流体树脂从所述圆形图案继续到所述半导体晶片的中心，并在所述半导体晶片的所述中心上方形成树脂洼坑。