[发明专利]形成消除气泡的薄膜的方法

权利要求书

1.一种在处理站中形成薄膜的方法，所述处理站具有晶片卡盘及供应管线，所述供应管线具有管状施涂开口，所述方法包括：

在半导体晶片自旋时将流体树脂从所述管状施涂开口施涂到所述半导体晶片上，且改变所述晶片卡盘与所述管状施涂开口之间的相对位置使得以圆形图案将所述流体树脂施涂到所述半导体晶片上；及

在施涂所述流体树脂时，在已形成所述圆形图案之后，使所述半导体晶片从自旋减速到停止，且改变所述晶片卡盘与所述管状施涂开口之间的相对位置使得所述流体树脂从所述圆形图案继续到所述半导体晶片的中心，并随后在所述半导体晶片的所述中心上方形成树脂洼坑，其中在所述半导体晶片停止自旋之后继续所述施涂所述流体树脂的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶片在将所述流体树脂施涂到所述半导体晶片的所述中心上以形成所述树脂洼坑之前静止。

3.根据权利要求1所述的方法，且其进一步包括：在已将所述流体树脂施涂到所述半导体晶片的所述中心上之后等待预定时间周期。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述圆形图案朝向所述半导体晶片的所述中心向内移动。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述圆形图案为螺旋形。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述圆形图案为若干个互连部分同心圆。

7.根据权利要求3所述的方法，且其进一步包括：在所述预定时间周期之后使所述半导体晶片自旋。

8.根据权利要求7所述的方法，且其进一步包括：将所述半导体晶片附接到所述晶片卡盘。

9.根据权利要求8所述的方法，且其进一步包括：改变所述晶片卡盘与所述管状施涂开口之间的相对位置，使得在所述晶片自旋之前所述管状施涂开口垂直地位于所述半导体晶片的顶表面上的起点的正上方，所述起点到所述半导体晶片的外边缘比到所述半导体晶片的所述中心近。

10.根据权利要求9所述的方法，且其进一步包括：在所述管状施涂开口已定位成垂直地位于所述起点的正上方之后，且在施涂所述流体树脂之前，使所述晶片卡盘自旋以使所述半导体晶片自旋。

11.一种在处理站中形成薄膜的方法，所述处理站具有晶片卡盘及供应管线，所述供应管线具有管状施涂开口，所述方法包括：

在半导体晶片自旋时将流体树脂从所述管状施涂开口施涂到所述半导体晶片上，使得以圆形图案将所述流体树脂施涂到所述半导体晶片上；及

在已形成所述圆形图案之后，使所述半导体晶片从自旋减速到停止，在所述半导体晶片停止后继续施涂所述流体树脂以在所述半导体晶片的中心处形成树脂洼坑，且随后以足以使所述树脂朝向所述半导体晶片的外边缘流动并超过所述外边缘的速度旋转所述半导体晶片。

12.根据权利要求11所述的方法，且其进一步包括：在已将所述流体树脂施涂到所述半导体晶片的所述中心上之后等待预定时间周期。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述圆形图案朝向所述半导体晶片的所述中心向内移动。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述圆形图案为螺旋形。