[发明专利]形成消除气泡的薄膜的方法

说明书

本发明涉及一种方法(100)，所述方法(100)实质上减少在已沉积到半导体晶片上的高粘度流体树脂中形成气泡。所述方法(100)具有使半导体晶片自旋的步骤(114)，及将高粘度流体树脂直接施涂到所述自旋半导体晶片上使得将所述流体树脂施涂成圆形图案的步骤(116)。所述方法(100)还具有如下的步骤(118)：使所述半导体晶片停止使得所述流体树脂从所述圆形图案向内继续到所述半导体晶片的中心，在所述半导体晶片的所述中心处形成流体树脂洼坑。所述方法(100)进一步具有在已形成所述洼坑之后等待预定时间周期的步骤(120)，及在所述预定时间周期之后使所述半导体晶片以高速自旋的步骤(122)。

技术领域

本发明涉及一种形成薄膜的方法，且更特定来说，涉及一种形成消除气泡的薄膜的方法。

背景技术

旋涂为在半导体晶片上形成薄膜的众所周知的方法。在一种常见的旋涂方法中，在半导体晶片的中心处形成流体树脂洼坑，所述半导体晶片然后以例如1500到4000rpm的高速度自旋。离心力致使中心处的流体树脂在晶片的顶表面上方扩散。薄膜的最终厚度及均匀性通常由晶片的旋转速度及晶片旋转的时间长度定义。

流体树脂可静态或动态施涂。在静态施涂的情况下，在晶片静止时将流体树脂沉积到晶片上。在动态施涂的情况下，将流体树脂在晶片以例如500rpm的相对适度速度自旋时沉积到所述晶片上。

常规旋涂的一个问题为：当直线施涂高粘度流体树脂时，在将流体树脂初始施涂到晶片上时可存在气泡。举例来说，难以通过喷嘴以大于400cP的速度来施涂流体树脂，所述喷嘴为具有限制树脂从供应管线流出的开口的输出结构。因此，通常将喷嘴从供应管线移除，使得可直接从供应管线施涂高粘度流体树脂。从供应管线直接施涂流体树脂称为直线施涂。

直线施涂的一个缺点为：在使用之间，空气可进入供应管线，此又导致在下次将流体树脂初始施涂到晶片上时存在气泡。在接着使晶片高速自旋时，远离晶片中心的树脂洼坑中的气泡响应于高速自旋的离心率朝向晶片的外边缘移动并超过所述外边缘。

然而，气泡到晶片中心越近，存在的离心率越少且气泡越不可能移动超过晶片的外边缘，借此使气泡留在保持在晶片上的树脂中。因此，需要用消除在初始施涂流体树脂时可存在的气泡的高粘度流体树脂形成薄膜的方法。

发明内容

本发明提供形成消除气泡的薄膜的方法。所述方法在具有晶片卡盘及供应管线的处理站中形成薄膜，其中所述供应管线具有管状施涂开口。所述方法包含：在半导体晶片自旋时将流体树脂从所述管状施涂开口施涂到所述半导体晶片上，且改变所述晶片卡盘与所述管状施涂开口之间的相对位置使得以圆形图案将所述流体树脂施涂到所述半导体晶片上。所述方法还包含：在已形成所述圆形图案之后，使所述半导体晶片从自旋减速到停止，且改变所述晶片卡盘与所述管状施涂开口之间的相对位置使得所述流体树脂继续从所述圆形图案到所述半导体晶片的中心，并在所述半导体晶片的所述中心上方形成树脂洼坑。

本发明进一步提供形成薄膜的替代方法。本发明包含：在所述半导体自旋时将流体树脂从所述管状施涂开口施涂到半导体晶片上。在所述半导体晶片自旋及施涂所述流体树脂时，所述半导体晶片的所述中心无所述流体树脂。所述方法还包含：在所述半导体晶片静止时将所述流体树脂从所述管状施涂开口施涂到所述半导体晶片的所述中心上以在所述半导体晶片的所述中心处形成树脂洼坑。

通过参考以下详细说明及阐明其中利用本发明原理的说明性实施例的附图将获得对本发明的特征及优点的较佳理解。

附图说明

图1为图解说明根据本发明的形成薄膜的方法100的实例的流程图。

图2为图解说明根据本发明的处理站200的实例的侧视图

图3A到3B为图解说明根据本发明将流体树脂沉积到半导体晶片224的顶表面上的实例的平面图。图3A图解说明螺旋圆形图案，而图3B图解说明由互连部分同心圆成的圆形图案。