[发明专利]一种N型晶硅电池及其制备方法

摘要

本发明提供一种N型晶硅电池及其制备方法，该电池包括前表面AgAl电极、前表面减反射膜、硼发射极钝化层、硼发射极P+层、N型基底、磷扩散N+背表面场层、背面钝化层、背面减反射膜、背面Ag电极；电池正面为制绒结构，用以增加对光的吸收，背面为抛光结构，提升背面钝化效果和对长波的背反射效果，正面和背面的钝化膜是经过热氧化生成SiO₂层同时制备而成；该制备工艺较为简单，能够与当前晶体硅电池制造生产线设备兼容，可降低成本，适于大规模工业化生产。

主权项

一种N型晶硅电池，从正面到背面依次包括正面AgAl电极、正面减反射膜、硼发射极钝化层、硼发射极P+层、N型硅片、磷扩散N+背表面场层、背面钝化层、背面减反射膜、背面Ag电极，其特征在于：所述电池的背面采用抛光结构，硼发射极钝化层和背面钝化层均是经过热氧化生成SiO₂层同时制备而成，厚度为2～10nm。