[发明专利]一种N型晶硅电池及其制备方法

权利要求书

1.一种N型晶硅电池，从正面到背面依次包括正面AgAl电极、正面减反射膜、硼发射极钝化层、硼发射极P+层、N型硅片、磷扩散N+背表面场层、背面钝化层、背面减反射膜、背面Ag电极，其特征在于：所述电池的背面采用抛光结构，硼发射极钝化层和背面钝化层均是经过热氧化生成SiO₂层同时制备而成，厚度为2～10nm。

2.制备权利要求1中所述N型晶硅电池的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）将原始N型硅片进行清洗，去除表面的损伤层，制绒；

（2）将步骤（1）处理后的N型硅片面贴面地放置进行单面硼扩散形成硼扩散面，即硼发射极P+层，硼扩散面为正面，采用三溴化硼液态源扩散，扩散方阻为50～80Ω/□，扩散温度为900～960℃，时间为30～60min；

（3）在硼扩散结束降温至780℃～850℃时，通入氧气对硼扩散面进行氧化，形成硼硅玻璃层；

（4）在氧化后的硼硅玻璃层上沉积一层氮化硅薄膜；

（5）对步骤（4）沉积后的N型硅片的背面利用碱溶液抛光；

（6）将N型硅片的正面面贴面放置，在管式炉中进行单面磷扩散，硅片背面为磷扩散面，即磷扩散N+背表面场层，扩散方阻为40～80Ω/□；

（7）去除磷扩散形成的周边结、杂质玻璃层；

（8）去除N型硅片正面的硼硅玻璃层和氮化硅层，去除背面磷扩散形成的磷硅玻璃层；

（9）利用干法氧化在硼发射极P+层和磷扩散N+背表面场层上制备氧化硅钝化层；

（10）在硅片的正面和背面沉积氮化硅减反膜；

（11）在硅片的两面分别印刷金属电极，烧结，即可得到N型晶硅太阳能电池。

3.根据权利要求2所述的N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于：步骤（3）的氧化过程中通入氧气的流量为0.1－10slm，氧化时间为3－40min。

4.根据权利要求2所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于：步骤（4）中的沉积采用等离子增强化学气相沉积方法，的沉积温度为400～450℃，沉积厚度为25－50nm。

5.根据权利要求2所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于：步骤（5）采用碱溶液进行腐蚀抛光，碱溶液中的氢氧化钠质量分数为15％－30％，碱溶液温度为65－85℃。

6.根据权利要求2所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于：步骤（7）采用等离子体刻蚀或激光刻蚀去除磷扩散形成的周边结。

7.根据权利要求2所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于：步骤（8）采用HF溶液去除N型硅片正面的硼硅玻璃层和氮化硅层，去除背面磷扩散形成的磷硅玻璃层，HF溶液的质量分数为8％－20％，去除时间为5～20min，反应温度为20℃。

8.根据权利要求2所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于：步骤（9）中制备钝化层的过程是：将完成去除掩膜后的N型硅片放入氧化炉中在高纯氧气气氛中进行氧化钝化处理，氧化温度为650℃－790℃，氧化时间为5min－60min。

9.根据权利要求2所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于：步骤（10）采用用等离子增强化学气相沉积方法在N型硅片的正面和背面沉积氮化硅减反膜，氮化硅减反膜的厚度为60-80nm。

10.根据权利要求2所述的N型晶硅电池的制备方法，其特征在于：步骤（11）在N型硅片的正面印刷AgAl浆电极，背面印刷Ag浆电极，烘干烧结，即得到N型晶硅太阳能电池。