[发明专利]处理装置、喷嘴及切割装置在审
| 申请号： | 201510553406.7 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105609444A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 鹰野正宗 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种处理装置、喷嘴及切割装置。实施方式的处理装置包括：能够载置样品的平台，使平台旋转的旋转机构，对样品喷射物质的喷嘴，使平台与喷嘴沿与平台的旋转轴垂直的方向相对移动的移动机构，以及对移动机构进行控制的控制部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 喷嘴 切割 | ||
【主权项】：
一种处理装置，其特征在于包括：平台，能够载置样品；旋转机构，使所述平台旋转；喷嘴，对所述样品喷射物质；移动机构，其使所述平台与所述喷嘴沿与所述平台的旋转轴垂直的方向相对移动；以及控制部，对所述移动机构进行控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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