[发明专利]处理装置、喷嘴及切割装置

说明书

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2014-231876号(申请日：2014年11月14日)/日本 专利申请案2014-231877号(申请日：2014年11月14日)及日本专利申请案2015-6812 号(申请日：2015年1月16日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照这些基础申 请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种处理装置、喷嘴及切割装置。

背景技术

形成于晶圆等半导体衬底上的多个半导体元件通过沿着设置于半导体衬底的切割 区域进行切割，而分割为多个半导体芯片。当在半导体衬底的一面形成着成为半导体元 件的电极的金属膜或芯片黏接膜等树脂膜时，需要在切割时将切割区域的金属膜或树脂 膜去除。

作为将金属膜或树脂膜去除的方法，例如有利用刀片切割将半导体衬底与金属膜或 树脂膜同时去除的方法。该情况下，在金属膜或树脂膜容易产生突起(毛边)等形状异常。 如果产生金属膜或树脂膜的形状异常，则判定为半导体芯片的外观检查不良，或产生底 面与半导体芯片的接合不良，由此制品良率降低，而出现问题。

发明内容

本发明的实施方式提供能够抑制形状异常的发生的处理装置、喷嘴及切割装置。

实施方式的处理装置包括：能够载置样品的平台，使所述平台旋转的旋转机构，对 所述样品喷射物质的喷嘴，使所述平台与所述喷嘴沿与所述平台的旋转轴垂直的方向相 对移动的移动机构，以及对所述移动机构进行控制的控制部。

附图说明

图1A、1B是第一实施方式的处理装置的示意图。

图2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G是表示第一实施方式的器件的制造方法的示意 工序剖面图。

图3A、3B是第二实施方式的处理装置的作用的说明图。

图4A、4B是第三实施方式的处理装置的示意图。

图5是第四实施方式的处理装置的示意图。

图6是第五实施方式的处理装置的示意图。

图7是第六实施方式的处理装置的示意图。

图8是第七实施方式的处理装置的示意图。

图9是第八实施方式的处理装置的示意图。

图10是第九实施方式的处理装置的示意图。

图11A、11B是第十实施方式的处理装置的示意图。

图12A、12B、12C、12D、12E、12F、12G是表示第十实施方式的器件的制造方法 的示意工序剖面图。

图13是第十一实施方式的处理装置的示意图。

图14是第十二实施方式的处理装置的示意图。

图15是第十三实施方式的处理装置的示意图。

图16A、16B是第十四实施方式的处理装置的示意图。

图17是第十五实施方式的处理装置的示意图。

图18是第十六实施方式的处理装置的示意图。

图19是第十七实施方式的处理装置的示意图。

图20是第十八实施方式的切割装置的框图。

图21是第十八实施方式的切割单元的示意图。

图22A、22B是第十八实施方式的处理单元的示意图。

图23A、23B、23C是表示第十八实施方式的切割方法的示意工序剖面图。

图24是第十九实施方式的切割装置的框图。

图25是第十九实施方式的树脂片更换单元的示意图。

图26A、26B、26C、26D是表示第十九实施方式的切割方法的一例的示意工序剖面 图。

图27A、27B、27C、27D、27E是表示第十九实施方式的切割方法的另一例的示意 工序剖面图。

图28是第二十实施方式的切割装置的框图。

图29A、29B是第二十一实施方式的处理单元的示意图。

图30A、30B是第二十二实施方式的处理单元的作用的说明图。

图31A、31B是第二十三实施方式的处理单元的示意图。

图32是第二十四实施方式的处理单元的示意图。

图33是第二十五实施方式的处理单元的示意图。

图34是第二十六实施方式的处理单元的示意图。

图35是第二十七实施方式的处理单元的示意图。