[发明专利]处理装置、喷嘴及切割装置在审
| 申请号: | 201510553406.7 | 申请日: | 2015-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN105609444A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
| 发明(设计)人: | 鹰野正宗 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 喷嘴 切割 | ||
1.一种处理装置,其特征在于包括:
平台,能够载置样品;
旋转机构,使所述平台旋转;
喷嘴,对所述样品喷射物质;
移动机构,其使所述平台与所述喷嘴沿与所述平台的旋转轴垂直的方向相对移 动;以及
控制部,对所述移动机构进行控制。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述控制部以所述喷嘴距所述平台的旋转轴的距离越大,使所述相对移动的速 度越慢的方式进行控制。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述喷嘴相对于所述平台的表面具有小于90度的倾斜角。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于还包括倾斜机构,使所述喷嘴的相对于所 述平台的表面的倾斜角发生变化。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述物质为含有二氧化碳的粒子。
6.一种处理装置,其特征在于包括:
平台,能够载置样品;以及
喷嘴,对所述样品喷射将设置在所述样品的金属膜或树脂膜去除的物质,而将 所述样品分离。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于:
所述物质为含有二氧化碳的粒子。
8.一种喷嘴,其特征在于:对样品喷射将设置在所述样品的金属膜或树脂膜去除的物 质,而将所述样品分离。
9.根据权利要求8所述的喷嘴,其特征在于:
所述物质为含有二氧化碳的粒子。
10.一种处理装置,其特征在于包括:
平台,表面相对于与重力方向垂直的平面倾斜,且能够在所述表面载置样品;
喷嘴,对所述样品喷射物质;
壳体,内置所述平台与所述喷嘴;
移动机构,使所述平台与所述喷嘴沿与所述平台的表面平行的方向相对移动; 以及
控制部,对所述移动机构进行控制。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于还包括:
设置在所述壳体的吸气口;以及设置在所述壳体的排气口。
12.根据权利要求10所述的装置,其特征在于还包括第一倾斜机构,使所述平台的表 面的相对于与所述重力方向垂直的平面的倾斜角发生变化。
13.根据权利要求10所述的装置,其特征在于还包括将所述壳体内冷却的冷却机构。
14.根据权利要求10所述的装置,其特征在于:
所述喷嘴相对于所述平台的表面具有小于90度的倾斜角。
15.根据权利要求10所述的装置,其特征在于还包括第二倾斜机构,使所述喷嘴的相 对于所述平台的表面的倾斜角发生变化。
16.根据权利要求10所述的装置,其特征在于:
所述物质为包含二氧化碳的粒子。
17.一种切割装置,其特征在于包括:
切割单元,在样品形成槽;以及
处理单元,包含对形成着所述槽的样品喷射粒子而将所述样品的至少一部分去 除的喷嘴。
18.根据权利要求17所述的装置,其特征在于:
所述粒子为包含二氧化碳的粒子。
19.根据权利要求17所述的装置,其特征在于:
所述切割单元具有在所述样品形成槽的刀片。
20.根据权利要求17所述的装置,其特征在于:
所述切割单元具有发出在所述样品形成槽的激光的激光振荡器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





