[发明专利]栅极间隔件和形成方法

摘要

本发明公开了一种用于形成诸如晶体管的器件的方法和结构。一种方法实施例包括：在衬底上沿着栅极堆叠件的侧壁形成栅极间隔件；钝化栅极间隔件的外表面的至少部分；以及在邻近栅极间隔件的衬底中外延生长材料，同时栅极间隔件的外表面的至少部分保持被钝化。钝化可以包括使用热处理、等离子体处理或热处理中的至少一种。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上沿着栅极堆叠件的侧壁形成栅极间隔件，其中，所述栅极间隔件包括依次形成的密封间隔件部分、第一钝化间隔件部分、偏置间隔件部分和第二钝化间隔件部分，并且所述第一钝化间隔件部分通过钝化所述密封间隔件部分的外表面的悬空键形成，并且所述第二钝化间隔件部分通过钝化所述偏置间隔件部分的外表面的悬空键形成；钝化所述栅极间隔件的外表面的至少部分；在邻近所述栅极间隔件的所述衬底中外延生长材料，同时所述栅极间隔件的外表面的所述至少部分保持被钝化；邻接所述栅极间隔件形成介电层，所述栅极间隔件的邻接所述介电层的表面的选择性损失缺陷的密度是0缺陷/cm²。