[发明专利]栅极间隔件和形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上沿着栅极堆叠件的侧壁形成栅极间隔件，其中，所述栅极间隔件包括依次形成的密封间隔件部分、第一钝化间隔件部分、偏置间隔件部分和第二钝化间隔件部分，并且所述第一钝化间隔件部分通过钝化所述密封间隔件部分的外表面的悬空键形成，并且所述第二钝化间隔件部分通过钝化所述偏置间隔件部分的外表面的悬空键形成；

钝化所述栅极间隔件的外表面的至少部分；

在邻近所述栅极间隔件的所述衬底中外延生长材料，同时所述栅极间隔件的外表面的所述至少部分保持被钝化；

邻接所述栅极间隔件形成介电层，所述栅极间隔件的邻接所述介电层的表面的选择性损失缺陷的密度是0缺陷/cm²。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化包括使用热处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化包括使用等离子体处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化包括使用湿处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述栅极间隔件包括：

沿着所述栅极堆叠件共形地沉积间隔件层；以及

蚀刻所述间隔件层以形成所述栅极间隔件的所述至少部分，在蚀刻所述间隔件层之后实施钝化所述栅极间隔件的所述外表面的所述至少部分，所述栅极间隔件的所述外表面是所述间隔件层的外表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述栅极间隔件包括：

沿着所述栅极堆叠件共形地沉积间隔件层，在所述间隔件层上实施所述钝化；以及

在所述钝化之后，蚀刻所述间隔件层以形成所述栅极间隔件的所述至少部分，所述栅极间隔件的所述外表面是所述间隔件层的外表面。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述外延生长之后，实施清洗工艺，所述清洗工艺从所述栅极间隔件的所述外表面的所述至少部分去除钝化物质。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述栅极间隔件包括：

沿着所述栅极堆叠件共形地沉积密封层；

在所述密封层上共形地沉积偏置结构层，所述偏置结构层包括位于所述密封层上的第一子层和位于所述第一子层上的第二子层；

在所述偏置结构层上共形地沉积伪层；以及

蚀刻所述密封层、所述偏置结构层和所述伪层，所述密封层、所述偏置结构层和所述伪层的各自的保留部分形成所述栅极间隔件。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成电极；

沿着所述电极的侧壁形成间隔件，其中，所述间隔件包括依次形成的密封间隔件部分、第一钝化间隔件部分、偏置间隔件部分和第二钝化间隔件部分，并且所述第一钝化间隔件部分通过处理所述密封间隔件部分的外表面的悬空键形成，并且所述第二钝化间隔件部分通过处理所述偏置间隔件部分的外表面的悬空键形成；

处理所述间隔件的外表面的至少部分，所述处理用钝化物质终止所述外表面的所述至少部分；

在邻近所述间隔件的所述衬底中形成凹槽；

在所述凹槽中沉积材料，同时用所述钝化物质终止所述外表面的所述至少部分；以及

邻接所述间隔件形成介电层，所述间隔件的邻接所述介电层的表面的选择性损失缺陷的密度是0缺陷/cm²。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述钝化物质包括氧、氟或它们的组合。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述处理包括将所述间隔件的所述外表面的所述至少部分暴露于热处理。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述处理包括将所述间隔件的所述外表面的所述至少部分暴露于等离子体处理。