[发明专利]栅极间隔件和形成方法

说明书

本发明公开了一种用于形成诸如晶体管的器件的方法和结构。一种方法实施例包括：在衬底上沿着栅极堆叠件的侧壁形成栅极间隔件；钝化栅极间隔件的外表面的至少部分；以及在邻近栅极间隔件的衬底中外延生长材料，同时栅极间隔件的外表面的至少部分保持被钝化。钝化可以包括使用热处理、等离子体处理或热处理中的至少一种。

技术领域

本发明涉及栅极间隔件和形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已经经历了快速发展。除了增加功能密度(即，每一芯片面积上互连器件的数量)和减小几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小的元件(或线))之外，器件速度不断增加。用于密度增加和尺寸减小的按比例缩小工艺可以帮助增加器件速度，这是由于信号传播可以通过更短的结构。

已经发展了用于提高器件速度的其他方法。一种方法包括在器件中掺入异种材料。例如，诸如，可以外延生长与衬底的材料不同的材料以用于晶体管的源极/漏极区域，诸如场效应晶体管(FET)。使用异种材料可以增大晶体管中的载流子迁移率，从而提高器件的运行速度。

随着异种材料在器件中使用的增加和器件的减小的几何尺寸，出现了新的问题，在具有较大尺寸的器件中可能还没有被检测到这些新的问题或者这些新的问题还没有影响到具有较大尺寸的这些器件。这在下文出现的上下文内。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，根据本发明的一些实施例，提供了一种方法，包括：在衬底上沿着栅极堆叠件的侧壁形成栅极间隔件；钝化所述栅极间隔件的外表面的至少部分；以及在邻近所述栅极间隔件的所述衬底中外延生长材料，同时所述栅极间隔件的外表面的所述至少部分保持被钝化。

根据本发明的另一些实施例，提供了一种方法，包括：在衬底上形成电极；沿着所述电极的侧壁形成间隔件；处理所述间隔件的外表面的至少部分，所述处理用钝化物质终止所述外表面的所述至少部分；在邻近所述间隔件的所述衬底中形成凹槽；以及在所述凹槽中沉积材料，同时用所述钝化物质终止所述外表面的所述至少部分。

根据本发明的又一些实施例，提供了一种结构，包括：衬底；栅极堆叠件，包括位于所述衬底上的栅极电介质和位于所述栅极电介质上的栅电极；栅极间隔件，沿着所述栅电极的至少侧壁；外延的源极/漏极区域，位于邻近所述栅极间隔件的所述衬底中；以及介电层，邻接所述栅极间隔件，所述栅极间隔件的邻接所述介电层的表面的选择性损失缺陷的密度是约0缺陷/cm²。

根据本发明的又一些实施例，提供了一种方法，包括：在衬底上沿着栅极堆叠件的侧壁形成栅极间隔件；用终止物质终止所述栅极间隔件的外表面的至少部分；以及用所述终止物质终止所述栅极间隔件的所述外表面的所述至少部分的同时，在所述衬底中的凹槽中外延生长半导体材料，所述凹槽邻近所述栅极间隔件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图17示出了根据一些实施例的制造器件的第一方法的各个阶段的截面图。

图18至图30示出了根据一些实施例的制造器件的第二方法的各个阶段的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。