[发明专利]一种高密度电感的制造方法在审
| 申请号： | 201510552093.3 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105185907A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 郑涛;罗乐;徐高卫;韩梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高密度电感的制造方法，包括以下步骤：在硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。本发明采用干湿混合法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底，然后通过丝网印刷工艺在电感背面的深坑中填充复合磁性材料，提高电感值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 电感 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高密度电感制造方法，其特征在于；该制造方法至少包括以下步骤：A.提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；B.沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板；C.在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；D.在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；E.在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；F.去除所述深坑结构底部剩余的一层薄硅基板；G.在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。
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