[发明专利]一种高密度电感的制造方法

权利要求书

1.一种高密度电感制造方法，其特征在于；该制造方法至少包括以下步骤：

A.提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；

B.沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板；

C.在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；

D.在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；

E.在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；

F.去除所述深坑结构底部剩余的一层薄硅基板；

G.在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。

2.根据权利要求1所述的高密度电感制造方法，其特征在于；所述步骤A中具体包括以下步骤：a).选择<100>晶向硅基板先进行表面预处理；

b).对该硅基板的正反两面进行氧化形成氧化硅掩模层；

c).通过光刻显影干法刻蚀在硅基板的反面形成腐蚀窗口。

3.根据权利要求1所述的高密度电感制造方法，其特征在于；所述步骤B是采用KOH或TMAH碱性溶液腐蚀出水平面上的投影面积略大于第一或第二层金属图形在水平面上的投影面积的深坑结构，该深坑结构的深度为硅基板厚度减去30～100um。

4.根据权利要求1所述的高密度电感制造方法，其特征在于；所述步骤C具体包括以下步骤:

a)溅射TiW/Cu种子层，光刻显影，电镀一金属Cu层；

b)去光刻胶，并用干法腐蚀去掉TiW/Cu种子层，形成第一层金属图形。

5.根据权利要求1所述的高密度电感制造方法，其特征在于；所述步骤D具体包括以下步骤：旋涂第一层5～15um聚合物作为介质层，通过光刻或刻蚀方法图形化并形成暴露部分第一金属图层的通孔，然后高温固化。

6.根据权利要求1所述的高密度电感制造方法，其特征在于；所述步骤E具体包括以下步骤:先溅射TiW/Cu种子层，接着光刻电感线圈图形后电镀一金属Cu层，然后去除光刻胶，并用干法腐蚀去掉TiW/Cu种子层形成第二层金属图形。

7.根据权利要求1所述的高密度电感制造方法，其特征在于；所述步骤F具体包括以下步骤：采用深反应离子或XeF₂各向同性刻蚀气体将深坑结构底部剩余的一层薄硅基板刻蚀掉。

8.根据权利要求1所述的高密度电感制造方法，其特征在于；所述步骤G具体包括以下步骤:通过丝网印刷工艺将20～50Wt％的BCB与80～50Wt％的镍锌铁氧体磁粉填充进深坑结构中，随后进行固化。

9.根据权利要求4或6所述的高密度电感制造方法，其特征在于；所述金属Cu层厚度为10～30um，优选为20um。

10.根据权利要求1所述的高密度电感制造方法，其特征在于；所述第一层金属图形和第二层金属图形构成电感，该电感的形状为圆螺旋形、多边螺旋形或折线形，优选为阿基米德螺旋。