[发明专利]功率晶体管及其结终端结构

摘要

本发明涉及一种功率晶体管的结终端结构，形成于功率晶体管的有源区外围，结终端结构包括：衬底；形成于衬底上且由内向外依次设置的过渡场限环、场限环和截止环；以及分压保护结构；分压保护结构中的栅氧化层形成于各掺杂区表面；场氧化层和介质层形成于各掺杂区一侧的衬底上方且呈台阶依次向上分布；场氧化层的厚度大于栅氧化层的厚度；多晶硅场板部分覆盖栅氧化层且部分覆盖场氧化层；复合介质层设置有第一接触孔，第一接触孔贯穿介质层且与多晶硅场板相连；金属场板部分覆盖介质层并通过第一接触孔与多晶硅场板连接。上述功率晶体管的结终端结构可以提高功率晶体管器件的击穿电压。本发明还涉及一种功率晶体管。

主权项

1.一种功率晶体管的结终端结构，形成于所述功率晶体管的有源区外围，其特征在于，所述结终端结构包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底上且由内向外依次设置的过渡场限环、场限环和截止环；所述过渡场限环和所述场限环均为第二导电类型的掺杂区；所述截止环为第一导电类型的掺杂区；以及分压保护结构；所述分压保护结构包括栅氧化层、场氧化层、介质层、多晶硅场板和金属场板；其中，所述栅氧化层形成于各掺杂区表面；所述场氧化层形成于各掺杂区一侧的所述衬底上且与所述栅氧化层接触；所述介质层位于所述栅氧化层和所述场氧化层之上，且所述介质层为复合介质层；所述场氧化层的厚度大于所述栅氧化层的厚度；所述多晶硅场板部分覆盖所述栅氧化层且部分覆盖所述场氧化层；所述介质层设置有第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述介质层且与所述多晶硅场板远离位于所述多晶硅场板下方的掺杂区一端的末端相连；所述金属场板部分覆盖所述介质层并通过所述第一接触孔与所述多晶硅场板连接，以使所述多晶硅场板和所述金属场板通过所述第一接触孔连接形成二台阶复合场板结构。