[发明专利]功率晶体管及其结终端结构

权利要求书

1.一种功率晶体管的结终端结构，形成于所述功率晶体管的有源区外围，其特征在于，所述结终端结构包括：

第一导电类型的衬底；

形成于所述衬底上且由内向外依次设置的过渡场限环、场限环和截止环；所述过渡场限环和所述场限环均为第二导电类型的掺杂区；所述截止环为第一导电类型的掺杂区；以及

分压保护结构；所述分压保护结构包括栅氧化层、场氧化层、介质层、多晶硅场板和金属场板；

其中，所述栅氧化层形成于各掺杂区表面；所述场氧化层形成于各掺杂区一侧的所述衬底上且与所述栅氧化层接触；所述介质层位于所述栅氧化层和所述场氧化层之上，且所述介质层为复合介质层；所述场氧化层的厚度大于所述栅氧化层的厚度；所述多晶硅场板部分覆盖所述栅氧化层且部分覆盖所述场氧化层；所述介质层设置有第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述介质层且与所述多晶硅场板远离位于所述多晶硅场板下方的掺杂区一端的末端相连；所述金属场板部分覆盖所述介质层并通过所述第一接触孔与所述多晶硅场板连接，以使所述多晶硅场板和所述金属场板通过所述第一接触孔连接形成二台阶复合场板结构。

2.根据权利要求1所述的功率晶体管的结终端结构，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为500埃～1200埃；所述场氧化层的厚度为10000埃～20000埃。

3.根据权利要求1所述的功率晶体管的结终端结构，其特征在于，所述介质层的厚度为12000埃～22000埃。

4.根据权利要求3所述的功率晶体管的结终端结构，其特征在于，所述介质层包括第一介质层和第二介质层；所述第一介质层的材质为无掺杂玻璃，所述第二介质层的材质为磷硅玻璃或者硼磷硅玻璃。

5.根据权利要求4所述的功率晶体管的结终端结构，其特征在于，所述第一介质层的厚度为2000埃～3000埃，所述第二介质层的厚度为10000埃～19000埃。

6.根据权利要求1所述的功率晶体管的结终端结构，其特征在于，所述介质层形成于所述栅氧化层、所述场氧化层和所述多晶硅场板表面；

所述介质层还设置有第二接触孔，所述第二接触孔贯穿所述栅氧化层、所述介质层且与各掺杂区相连；所述第二接触孔用于实现各掺杂区与位于各掺杂区上方的金属场板之间的连接。

7.根据权利要求1所述的功率晶体管的结终端结构，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

8.一种功率晶体管，包括有源区和结终端结构，所述结终端结构设置于所述有源区的外围并包围所述有源区，其特征在于，所述结终端结构包括：

第一导电类型的衬底；

形成于所述衬底上且由内向外依次设置的过渡场限环、场限环和截止环；所述过渡场限环和所述场限环均为第二导电类型的掺杂区；所述截止环为第一导电类型的掺杂区；以及

分压保护结构；所述分压保护结构包括栅氧化层、场氧化层、介质层、多晶硅场板和金属场板；所述栅氧化层形成于各掺杂区表面；所述场氧化层形成于各掺杂区一侧的所述衬底上且与所述栅氧化层接触；所述介质层位于所述栅氧化层和所述场氧化层之上，且所述介质层为复合介质层；所述场氧化层的厚度大于所述栅氧化层的厚度；所述多晶硅场板部分覆盖所述栅氧化层且部分覆盖所述场氧化层；所述介质层设置有第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述介质层且与所述多晶硅场板远离位于所述多晶硅场板下方的掺杂区一端的末端相连；所述金属场板部分覆盖所述介质层并通过所述第一接触孔与所述多晶硅场板连接，以使所述多晶硅场板和所述金属场板通过所述第一接触孔连接形成二台阶复合场板结构；

其中，所述过渡场限环、所述场限环和所述截止环的表面均分布有所述分压保护结构。

9.根据权利要求8所述的功率晶体管，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为500埃～1200埃；所述场氧化层的厚度为10000埃～20000埃。