[发明专利]高深宽比结构的光刻胶填充方法

摘要

本发明提供了一种高深宽比结构的光刻胶填充方法，通过组合抗反射光刻胶、填充光刻胶以及具有光刻解析能力的光刻胶来平坦化光刻胶层出现的高阶差的问题，同时利用抗反射光刻胶的表面较好的物理特性和粘附特性，将填充光刻胶表面形成的大小不等的雾状液滴消除，不但扩大了刻蚀的工艺窗口，而且有效地改善了通孔的形貌，同时简化了工艺步骤，有效地降低了工艺成本，将通孔失效模式降低并控制到了一定的程度，有着非常好的工艺成本优势。

主权项

1.一种高深宽比结构的光刻胶填充方法，所述高深宽比结构具有底部和侧壁，其特征在于，包括：步骤01：提供一具有高深宽比结构的半导体器件衬底；步骤02：在所述半导体器件衬底上形成第一抗反射光刻胶，并且对所述第一抗反射光刻胶进行烘烤；所述第一抗反射光刻胶形成于所述高深宽比结构的底部和侧壁以及所述高深宽比结构的顶部的所述半导体器件衬底表面；步骤03：在所述第一抗反射光刻胶表面形成填充光刻胶，并且对所述填充光刻胶进行烘烤；其中，部分所述填充光刻胶填充于所述高深宽比结构中，所述填充光刻胶的顶部高于所述高深宽比结构的顶部；其中，所述填充光刻胶的涂覆过程包括不同转速涂覆子过程；在所述填充光刻胶的涂覆过程完成之后，且在烘烤所述填充光刻胶之前，还包括风干过程；步骤04：在所述填充光刻胶表面形成第二抗反射光刻胶，并且对第二抗反射光刻胶进行烘烤；然后在所述第二抗反射光刻胶表面形成顶部光刻胶，并且对顶部光刻胶进行烘烤。