[发明专利]高深宽比结构的光刻胶填充方法

权利要求书

1.一种高深宽比结构的光刻胶填充方法，所述高深宽比结构具有底部和侧壁，其特征在于，包括：

步骤01：提供一具有高深宽比结构的半导体器件衬底；

步骤02：在所述半导体器件衬底上形成第一抗反射光刻胶，并且对所述第一抗反射光刻胶进行烘烤；所述第一抗反射光刻胶形成于所述高深宽比结构的底部和侧壁以及所述高深宽比结构的顶部的所述半导体器件衬底表面；

步骤03：在所述第一抗反射光刻胶表面形成填充光刻胶，并且对所述填充光刻胶进行烘烤；其中，部分所述填充光刻胶填充于所述高深宽比结构中，所述填充光刻胶的顶部高于所述高深宽比结构的顶部；其中，所述填充光刻胶的涂覆过程包括不同转速涂覆子过程；在所述填充光刻胶的涂覆过程完成之后，且在烘烤所述填充光刻胶之前，还包括风干过程；

步骤04：在所述填充光刻胶表面形成第二抗反射光刻胶，并且对第二抗反射光刻胶进行烘烤；然后在所述第二抗反射光刻胶表面形成顶部光刻胶，并且对顶部光刻胶进行烘烤。

2.根据权利要求1所述的高深宽比结构的光刻胶填充方法，其特征在于，所述第一抗反射光刻胶具有保型性、抗反射性和粘附性，并且与所述填充光刻胶相兼容；所述第一抗反射光刻胶的粘度为5～50厘泊，厚度不超过2000埃，所述第一抗反射光刻胶的涂胶剂量为0.5～5ml，涂胶次数为1～3次。

3.根据权利要求1所述的高深宽比结构的光刻胶填充方法，其特征在于，所述不同转速涂覆子过程中的最后的一个涂覆子过程的转速为1000～5000r/min；所述风干过程的风干时间为5～15min。

4.根据权利要求1所述的高深宽比结构的光刻胶填充方法，其特征在于，所述填充光刻胶的厚度大于5000埃，粘度为1～20厘泊；所述填充光刻胶的涂胶剂量为1.5～5ml，涂胶次数为1～3次。

5.根据权利要求1所述的高深宽比结构的光刻胶填充方法，其特征在于，所述填充光刻胶与所述第一抗反射光刻胶或与所述第二抗反射光刻胶的刻蚀速率比大于2:1。

6.根据权利要求5所述的高深宽比结构的光刻胶填充方法，其特征在于，所述填充光刻胶与所述第一抗反射光刻胶的刻蚀速率比大于3:1，所述填充光刻胶与所述第二抗反射光刻胶的刻蚀速率比大于3.5:1。

7.根据权利要求1所述的高深宽比结构的光刻胶填充方法，其特征在于，所述第二抗反射光刻胶与所述填充光刻胶相兼容，所述第二抗反射光刻胶的厚度为300～2000埃，粘度为5～30厘泊；所述第二抗反射光刻胶的涂布剂量为1.5～5ml，涂胶次数为1～3次。

8.根据权利要求1所述的高深宽比结构的光刻胶填充方法，其特征在于，所述顶部光刻胶具有可平坦化性和光刻解析能力，所述顶部光刻胶的厚度由第一通孔层表面非第一通孔内的所述第一抗反射光刻胶、所述填充光刻胶和所述第二抗反射光刻胶的厚度总和、以及所述顶部光刻胶与所述填充光刻胶的刻蚀速率比决定。

9.根据权利要求8所述的高深宽比结构的光刻胶填充方法，其特征在于，所述顶部光刻胶的厚度大于所述第一抗反射光刻胶的厚度、所述填充光刻胶的厚度/3.5和所述第二抗反射光刻胶的厚度三者的总和。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的高深宽比结构的光刻胶填充方法，其特征在于，对所述第一抗反射光刻胶、所述填充光刻胶、所述第二抗反射光刻胶和所述顶部光刻胶进行烘烤时的烘烤温度均为50～250℃。