[发明专利]一种碳化硅沟槽栅功率MOSFETs器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510528204.7 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105047721A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 查祎英;杨霏;王方方;李永平;朱韫晖;田亮;吴昊;夏经华 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅沟槽栅功率MOSFETs器件及其制备方法，该器件包括：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p型碳化硅区，所述p型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；位于所述p型碳化硅区之间且在n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内的n型沟道；沟槽栅介质；栅接触、源接触和漏接触。本发明在垂直双注入MOSFET结构的基础上，在沟道表面反掺杂n型掺杂杂质，以实现表面积累层，避免高能量、大剂量的离子注入及高温退火造成沟道表面积累层电子有效迁移率的降低，降低器件的性能退化，提高抗闩锁能力，本发明简化了碳化硅MOSFET器件的制作方法，适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 沟槽 功率 mosfets 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅沟槽栅功率MOSFETs器件，其特征在于，所述器件包括：1)沟槽栅碳化硅MOSFET：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p型碳化硅区，所述p型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；2)n型沟道：位于所述p型碳化硅区之间且在n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内；3)沟槽栅介质：于所述n+碳化硅源区之间，自n型碳化硅漂移层表面，沿n+碳化硅源区，经n型沟道延伸进入n型碳化硅漂移层，槽深大于所述p型碳化硅区结深；4)栅接触：位于沟槽栅上，n+碳化硅源区之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国网智能电网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司，未经国网智能电网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510528204.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种投币式电话币盒锁紧机构
- 下一篇：补货机构及自动售卖机
- 同类专利
- 专利分类
