[发明专利]PBN型InGaAs红外探测器

摘要

本发明公开了一种PBN型InGaAs红外探测器，属于光电子材料与器件技术领域。解决了现有技术中InGaAs探测器存在较多的暗电流的技术问题，进一步提高了InGaAs探测器的响应范围。该红外探测器，由从上至下依次排列的窗口层、阻挡层、吸收层、缓冲层和衬底组成，其中，阻挡层的材料为禁带宽度大于吸收层和窗口层的禁带宽度，且晶格与吸收层匹配的掺Si的InAlAs材料或者掺Si的InAsP材料，阻挡层的厚度为100‑300nm。该红外探测器能够很好的抑制暗电流的产生，且具有高量子效率、低表面复合及更宽的响应范围，能够用于遥感探测。

主权项

PBN型InGaAs红外探测器，包括从上至下依次排列的窗口层、吸收层、缓冲层和衬底；其特征在于，所述窗口层和吸收层之间还设有阻挡层；所述阻挡层的材料为掺Si的InAlAs材料或者掺Si的InAsP材料，阻挡层的禁带宽度大于窗口层和吸收层的禁带宽度，且晶格与吸收层匹配；所述阻挡层的厚度为100‑300nm。