[发明专利]PBN型InGaAs红外探测器

权利要求书

1.PBN型InGaAs红外探测器，包括从上至下依次排列的窗口层、吸收层、缓冲层和衬底；

其特征在于，所述窗口层和吸收层之间还设有阻挡层；

所述阻挡层的材料为掺Si的InAlAs材料或者掺Si的InAsP材料，阻挡层的禁带宽度大于窗口层和吸收层的禁带宽度，且晶格与吸收层匹配；

所述阻挡层的厚度为100-300nm。

2.根据权利要求1所述的PBN型InGaAs红外探测器，其特征在于，所述窗口层的材料为与吸收层组分相同的P型InGaAs材料。

3.根据权利要求1所述的PBN型InGaAs红外探测器，其特征在于，所述窗口层的厚度为50-200nm。

4.根据权利要求1所述的PBN型InGaAs红外探测器，其特征在于，所述吸收层的材料为In组分大于等于0.53，小于1的非故意掺杂的InGaAs材料。

5.根据权利要求4所述的PBN型InGaAs红外探测器，其特征在于，所述阻挡层的掺杂浓度低于吸收层的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的PBN型InGaAs红外探测器，其特征在于，所述吸收层的厚度为2.5-3.5μm。

7.根据权利要求1所述的PBN型InGaAs红外探测器，其特征在于，所述缓冲层的材料为线性渐变组分或者与吸收层晶格匹配的固定组分的n型InAsP材料。

8.根据权利要求1所述的PBN型InGaAs红外探测器，其特征在于，所述缓冲层的厚度为0.5-3μm。

9.根据权利要求1所述的PBN型InGaAs红外探测器，其特征在于，所述衬底的材料为高掺杂的n型InP单晶衬底或高掺杂的n型GaAs单晶衬底。

10.根据权利要求1所述的PBN型InGaAs红外探测器，其特征在于，所述吸收层掺Si，掺杂浓度为8×10¹⁶-8×10¹⁷cm^-3；窗口层掺Be，掺杂浓度为2×10¹⁷-2×10¹⁸cm^-3；缓冲层掺Si，掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3；阻挡层的掺杂浓度为2×10¹⁶-2×10¹⁷cm^-3。