[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201510518773.3 | 申请日: | 2015-08-21 |
公开(公告)号: | CN105070727B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 冯伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/768;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示装置,包括:衬底基板,设置在衬底基板上的栅极,以及依次设置在栅极上的栅极绝缘层和有源层;还包括:设置在衬底基板上的像素电极、公共电极和透明电极层;其中,透明电极层和像素电极/公共电极同层同材质;透明电极层位于栅极绝缘层的下方;有源层在衬底基板上的正投影位于透明电极层的正投影所在区域内。由于薄膜晶体管中的有源层正下方设置有与像素电极或公共电极同层同材质的透明电极层,可以改善薄膜晶体管所在区域的电极层残沙,使有源层的表面平整,避免由残沙引起的画面不均的现象,实现方法简单,且对栅极电阻的影响较小,可以提升产品品质。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的栅极,以及依次设置在所述栅极上的栅极绝缘层和有源层;其特征在于,还包括:设置在所述衬底基板上的像素电极、公共电极和透明电极层;其中,所述透明电极层和像素电极同层同材质;或,所述透明电极层和公共电极电极同层同材质;所述透明电极层位于所述栅极绝缘层的下方;所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述透明电极层的正投影所在区域内;其中,所述衬底基板和所述栅极之间设置有缓冲层;所述透明电极层设置在所述衬底基板和所述缓冲层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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