[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示装置有效
| 申请号： | 201510518773.3 | 申请日： | 2015-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105070727B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 冯伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/768;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 制作方法 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的栅极，以及依次设置在所述栅极上的栅极绝缘层和有源层；其特征在于，
还包括：设置在所述衬底基板上的像素电极、公共电极和透明电极层；其中，
所述透明电极层和像素电极同层同材质；或，所述透明电极层和公共电极电极同层同材质；
所述透明电极层位于所述栅极绝缘层的下方；
所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述透明电极层的正投影所在区域内；其中，
所述衬底基板和所述栅极之间设置有缓冲层；所述透明电极层设置在所述衬底基板和所述缓冲层之间。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括：设置在所述透明电极层上的多条栅线，每条所述栅线的一部分作为所述栅极。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅线在所述衬底基板上的正投影与所述透明电极层的正投影相互重叠。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板中的像素电极位于公共电极的上方，其中，所述公共电极为板状电极。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板中的像素电极位于公共电极的下方，其中，所述像素电极为板状电极。
6.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述透明电极层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟镓锌其中之一或组合。
7.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述透明电极层为具有矩形形状的板状电极。
8.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述透明电极层的厚度为至
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
10.一种如权利要求1-8任一项所述薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
通过同一构图工艺在衬底基板上形成像素电极和透明电极层的图形；或，通过同一构图工艺在衬底基板上形成公共电极和透明电极层的图形；
在衬底基板上形成栅极的图形；
在形成有所述栅极图形的衬底基板上依次形成栅极绝缘层和有源层的图形；所述透明电极层图形位于所述栅极绝缘层图形的下方；所述有源层图形在所述衬底基板上的正投影位于所述透明电极层图形的正投影所在区域内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
